一文了解Wafer Fab（晶圆制造）工厂中静电导致的芯片电性损坏

1. 专业术语：
DIW：De-Ionized Water，wafer Fab工厂生产工序清洗wafer常用的液体
PID：Plasma Induced Damage，指芯片生产制程中的plasma控制差异导致半导体电介质膜层击穿的产品不良现象。PID专指半导体制造中用到plasma的生产制程设备，如CVD、Dry etcher、Asher等。生产制程的PID控制水平是衡量Fab生产工艺能力的关键指标之一。
2. Wafer Fab工厂中特有的静电源：
Fab中导致芯片发生电性不良的静电源，主要来自于生产制程设备（尤其是使用plasma的）、以及采用高速流体清洗wafer的机台（主要是各spin cleaning机台）

图1. DIW spin cleaning机台存在的静电起电情形（也可能同时发生静电击伤芯片）
3. Wafer Fab中静电导致芯片损坏的方式
绝大多数情形是高静电在wafer正面（局部）累积足够高时，便足以将芯片中的特定器件结构中的绝缘膜层击穿（芯片测试检出漏电流偏高）。这种静电损伤芯片的方式，与后端的芯片封测工厂截然不同。

图2.wafer正面累积高静电击伤MOS器件gate oxide的情形