开始正题，第一、地址映射（AT）
简单的说就是，通过LBA的寻址方式把逻辑页地址（LPA）一一对应到物理页地址（PPA），来加块固态随机读写速度。画了个图↓看图理解

第二、垃圾回收（GC）原理，如图↓例如：NAND里有八个块，一个块四个页。里面的数据，V有效、IV无效、E空。数据多了，只剩下一个空页，阀值被触发，开始GC。GC触发后部分IV消失，E增加。垃圾就被处理了，画了个图，看图理解↓

第三、磨损均衡（WL）原理，结合上图↑，数据反复写入，触发阀值GC反复擦写后，4.7有效页多GC未处理，变为年轻块。0.2.3变为空块，1.5.6.8无效页较多，反复触发GC，变为老化快。随着PE次数增加，触发TH，开始进行WL。分三步：①老化快数据转移进空块，擦除老化快。②年轻块数据写入老化快，擦除年轻块。③写入新的热数据进年轻块。画了个图，看图理解↓

坏块管理（BBM）原理 当NAND块存储数据不可靠时，数据容易发生错误，这时BBM激发，将有问题的块记录下来，确保数据不会写入到这些快里。这和纠错有是区别的。坏块有两种，第一钟 ，晶圆出厂非常少量的（降级颗粒除外）厂家会特殊标记，底层可读出非0×FF值。第二种，应用过程中PE次数上限，造成坏块。FTL会维护一张坏块表并保存，伴随硬盘整个生命周期。

TRIM 原理 TRIM是操作系统发送指令，告知设备哪些LBA的数据无效，当我们删除文件时，释放相应的LAB地址范围，当新建文件时，被释放的LBA和未被占用的LBA可以用来存放新文件。简单的说TRIM就是一个标记作用，减少GC时对块的无效擦写，减少写入放大，增加NAND寿命.

预留空间（OP）原理 OP=（NAND物理容量-用户可用容量）/用户可用容量，OP主要是为了存放坏块和预留替换块而设定的。一般情况OP分为三层，第一层：SSD标称容量的7.37%。第二层：取决于厂家自定义，但并没有将第一层包含进去。第三次：用户自定义，这里指第三方厂家，至于为什么，这里不解释，自己想

掉电恢复（PLR）原理 在固态断电时，映射信息丢失，PLR这时会做将映射信息保存，固态再次上电时，PLR触发，将映射信息释放，并一一对应用户数据。这里要说的是：这不是掉电保护，请不要混淆。

对于近期固态硬盘发生的各种情况，楼上所述应该都能找出答案，请文明评论。睡觉😪