一款在中小功率驱动领域表现卓越的解决方案——SiLM5340ATCR-DG。作为兼容光耦的单通道隔离栅极驱动器，它专为高效驱动IGBT和MOSFET设计，在保持传统光耦驱动器引脚兼容性的同时，实现了性能与可靠性的双重突破。 核心性能优势 相较于传统光耦驱动器，SiLM5340ATCR-DG在关键指标上实现显著升级： -极速动态响应： 传输延迟低至110ns（最大值），器件间延迟匹配仅25ns（最大值），脉宽失真控制在35ns（最大值），显著提升开关精度与系统效率。 -超强抗干

SLM340CK-DG一款单通道隔离栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动IGBT和MOSFET设计，并且是传统光耦隔离驱动器的优秀升级替代方案兼容UCC23511。 核心优势：性能与可靠性的跃升 SLM340CK-DG的核心价值在于它显著提升了隔离驱动器的性能指标，同时解决了光耦固有的老化问题： -强劲驱动能力： 提供高达1.0A的峰值输出电流，轻松驱动主流功率开关器件。 -极速响应： 最大传输延迟低至120ns，器件间延迟匹配最大25ns，脉宽失真最大仅35ns，确保精准的控制时序，

IM69D120V01 高性能数字 XENSIV MEMS 麦克风 产品描述 IM69D120V01 是一款高性能数字 XENSIV MEMS 麦克风。IM69D120V01 专为需要低自噪声（高信噪比）、宽动态范围、低失真和高声学过载点的应用而设计。 规格 类型：MEMS（硅） 输出类型：数字，PDM 方向性：全向 频率范围：20 Hz ~ 20 kHz 灵敏度：-26dB ±1dB 信噪比：69dB 电压范围：1.62 V ~ 3.6 V 电流 - 供电：1.3 mA 接口位置：底部 连接方式：焊盘 尺寸/规格：0.157英寸 长 × 0.118英寸 宽（4.00毫米 × 3.00毫米） 高度（最大）：

核心特性与优势： 1.卓越兼容性与接口： SLMi330CG-DG 的最大亮点之一是其管脚兼容主流光耦隔离IGBT驱动器（如ACPL-330J）。这意味着工程师在升级系统性能或进行国产化替代时，可以极大程度地减少PCB改版工作，显著降低设计风险和周期。 2.强劲驱动能力： 提供高达 1.5A 峰值输出电流，能够高效可靠地驱动中高功率IGBT模块，确保快速开关，减少开关损耗。 3.全面的保护机制（主动安全卫士）： 这是该器件的核心竞争力，集成了多项关键保护功能： -退

（供应芯片）星际金华、明佳达长期供应原装库存器件： 【供应】原装IC——BTS5030-2EKA智能高侧边开关、SKY13498-21天线开关模块、TLE7259-3GE（LIN收发器）。 BTS5030-2EKA：4A、5V 至 28V、PROFET®汽车智能高边开关，PG-DSO-14 输出数 2 比率 - 输入:输出 1：1 输出配置 高端 输出类型 N 通道 接口 开/关 电压 - 负载 5V ~ 28V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 不需要 电流 - 输出（最大值） 4A 导通电阻（典型值） 30 毫欧 输入类型 非反相 特性 带有自动重启功能 故障保护 限流（固定）

一款高性能双通道隔离栅极驱动器SiLM8243BBCL-DG。在紧凑的SOP16封装内集成了强劲驱动、可靠隔离与灵活配置，特别适合对空间和可靠性要求高的应用。 核心亮点： 1.强劲驱动能力： 提供 4.0A 源电流 / 6.0A 灌电流 峰值输出，能有效驱动MOSFET、IGBT以及SiC/GaN功率器件，提升开关速度，降低损耗。 2.高可靠电气隔离： SOP16封装即实现 3.0kVRMS (UL 1577) 隔离耐压，通道间功能绝缘达 1500V。已通过 CQC认证(GB4943.1-2022)，并满足 AEC-Q100车规级认证，品质保障。 3.抗干扰

DS25BR150TSD 单通道 3.125 Gbps LVDS 缓冲器 产品描述 DS25BR150TSD 是一款专为印刷电路板和平衡电缆上的高速信号传输优化的单通道 3.125 Gbps LVDS 缓冲器。全差分信号路径确保了卓越的信号完整性和抗噪声能力。 特性 直流至 3.125 Gbps 低抖动、高抗噪声、低功耗运行 片上 100 Ω 输入和输出终止，最小化插入损耗和反射损耗，减少元器件数量并节省电路板空间 LVDS 输入/输出引脚上的 7 kV 静电放电保护，保护相邻组件 小型 3 mm x 3 mm WSON-8 节省空间封装 应用 时钟或

在通信电源、电池供电系统（如电动自行车/滑板车）、电机驱动、无人机及工业高压输入应用中，工程师常需应对宽输入电压范围、高效率和小型化的挑战。SiLM6880CB-DG是一款高性能同步降压DC-DC变换器，提供 1A输出电流，并凭借其 6V至80V的宽输入电压范围 和 高集成度设计，成为应对这些挑战的强有力解决方案。 核心性能亮点 1.超宽输入，适应性强： -支持 6V 至 80V 的宽输入电压范围，轻松应对电池组电压波动（如满电至欠压）或工业高压母线场景。

在工业自动化、智能电网及楼宇控制等对通信速率与可靠性要求极高的领域，高速且稳健的数据传输至关重要。SiLM1451LCA-DG RS485收发器SOP-8，凭借其50Mbps的高速传输能力与卓越的工业级特性，为高速可靠通信树立新标杆。 核心性能亮点： 1.极速传输： 显著提升的传输速率，支持高达50Mbps，满足工业高速数据交换、实时控制等严苛需求。 2.全双工优势： 支持全双工通信，提升通信效率和系统实时响应能力。 3.强悍工业适应性： -宽温可靠： -40°C至125°C

微功率隔离反激芯片SiLM6601AD-7G，高集成度和简化设计令人印象深刻，特别适合空间和成本受限的隔离电源应用。 核心亮点： 1.超高集成度 (SOT23-5)： 在微型 SOT23-5 封装内，集成了 1.2A/65V 功率 DMOS 管、高压电路和全部控制逻辑。这大幅缩减了布板面积，尤其适合紧凑型设计。 2.真正的简化设计： -无需光耦与第三绕组： 采用创新的原边反馈 (PSR) 技术，仅需原边元件即可精准控制隔离端输出电压，通过单一外部电阻设定 VOUT。显著减少元件数量、BOM 成本

各位技术大佬，请教一个DC-DC升压IC选型的问题！ 项目中需要一颗输出24V、峰值电流4A的升压芯片，封装必须是 SOP8-EP。之前考虑过PAM2421这类型号，现在看到SLM6240CB-13GTR，参数看起来挺对胃，想听听大家的实际经验： -输入电压 2.7V-5.5V (适合单节锂电应用)，输出最高可调至24V，峰值电流4A。 -集成 80mΩ 的功率MOSFET (针对24V优化)。 -工作模式 PWM/PFM自动切换，轻载高效，关机电流超低仅0.1μA。 -保护功能齐全：内置过压(OVP)、过温保护、欠压锁定、逐周期过

SLM8834EC是一款革命性的TEC控制芯片，采用QFN4×4-24超紧凑封装，集高效率、±0.001°C级超高精度和全面保护于一体，为光通信与精密仪器提供终极温控解决方案。 核心技术创新： 1.极致能效与小型化： 独创单电感架构：相比传统方案节省20%以上布局空间，显著降低系统尺寸。 集成超低RDS(ON) MOSFET：功率级导通阻抗极低，系统功耗有效降低30%，大幅提升能效。 2.±0.001°C超高精度控制： 内置双零漂移轨对轨斩波运放，输入失配电压超低，消除温漂误差。

DS28E25P DeepCover 安全认证器，支持 1-Wire SHA-256 及 4KB 用户 EEPROM 产品描述 DeepCover™ 嵌入式安全解决方案通过多层高级物理安全措施保护敏感数据，提供最安全的密钥存储方案。 DeepCover 安全认证器 DS28E25P 将基于 FIPS 180-3 规范的 SHA-256 安全哈希算法实现的加密级双向安全挑战响应认证功能与安全认证功能相结合。4Kb 可编程用户 EEPROM 阵列提供应用数据的非易失性存储，额外的受保护内存存储用于 SHA-256 操作的读保护密钥以及用户内存控制设置。 功能 基

SiLM5761CG-DG高速六通道数字隔离器，采用SOP16W封装，通过5.0kVRMS（UL1577认证） 强化隔离，专为需混合通道方向的系统设计，兼容代替ISO7761DWR。 核心优势： 1.智能通道配置： -5路正向 + 1路反向通道组合 -完美适配主控信号输出（正向）与状态反馈（反向）的混合需求 -输入异常时默认输出高电平，增强系统失效安全性 2.三重安全认证： -通过UL1577 (5kVRMS/1min)、GB4943.1-2022 CQC及DIN VDE 0884-17:2021-10 -满足工业/医疗设备对隔离组件的严苛认证要求 3.百兆级传输性

高性能半桥驱动方案SLM2106SCA-13GTR。SOP-8封装芯片以600V耐压和纳秒级响应为核心优势，可完美替代IR2106S专为高频开关场景设计。 核心特性深度解读： 1.工业级高压平台： 基于专有HVIC及锁存免疫CMOS技术，支持600V工作电压，为高侧MOSFET/IGBT提供稳定驱动保障。 2.独立双通道架构： 高/低边驱动信号完全独立控制（非耦合），提供更灵活的逻辑配置空间，适应复杂PWM策略。 3.极速开关性能： 典型传输延时低至 开通160ns / 关断220ns（系列最快），显著提升高

产品优点： 1.托盘可拿下 2.每个托盘配盖子 3.带把手 4.托盘（周转箱）表面光滑、一次成型

清洗步骤和方法： 四槽洗法：初洗-酶洗-灭菌（2％碱性戊二醛）-冲洗； 五槽洗法：初洗-酶洗-清洗-灭菌（2％碱性戊二醛）-冲洗； 胃镜、肠镜、十二指肠镜浸泡不少于10分钟； 支气管镜浸泡不少于20分钟；

SiLM2014ACA-DG专为工业级驱动设计，融合高压IC技术与抗闩锁CMOS工艺，提供1.5A强劲驱动能力，完美适配变频器、伺服系统等高可靠性场景。 性能突破： - 1.5A灌电流峰值：直接驱动大功率MOSFET/IGBT - 260ns/150ns精准时序：关断速度领先同级（较开通快42%） - 全逻辑兼容：独家支持3.3V/5V/15V混合系统（兼容老旧设备） - 150ns死区优化：平衡开关损耗与安全性 硬核特性： 200V浮动通道，耐受-5V负压瞬变 10-18V宽驱动电压（适配12V电池系统） 输出/输入严格同相 + 防

AXK6A2337YG P5K 接头 120 针脚 窄间距连接器 产品概述 AXK6A2337YG（板对板连接器）是一款 P5K 接头，适用于板对柔性电路板（FPC）的窄间距连接器。 特点 支持 3.0 至 9.0 毫米的插拔高度，采用 “TOUGH CONTACT” 结构，可抵御各种环境条件。 应用领域 移动设备 工业设备 明佳达，星际金华 供应 AXK6A2337YG板对板连接器，TSH82IDT运算放大器 TSH82IDT 宽带轨到轨运算放大器，带待机功能 产品描述 TSH82IDT 提供单通道、双通道和四通道运算放大器，具有高视频性能，包括

在工业自动化和汽车电动化/智能化飞速发展的今天，稳定可靠的电源管理至关重要。工业应用（如分布式电源、电池充电、离线电源）和汽车动力系统都面临着严苛挑战：宽输入电压需求、严酷的EMI环境、动态负载变化、有限空间布局以及对可靠性的极致要求。 SiLM6481正是为应对这些挑战而生，这是一款高性能、宽输入电压范围的低边N沟道MOSFET控制器，专为开关稳压器（Boost, SEPIC, Flyback等拓扑）设计，封装为紧凑的MSOP-10。 SiLM6481 的核心优势与亮点

（供求芯片）星际金华、明佳达——长期供应及回收原装库存器件： 【供应/回收】原装IC——AD9767ASTZRL数模转换器，TPS25200DRVR电子保险丝，744770115功率电感器。 AD9767ASTZRL：14位、125 MSPS、双通道TxDAC+®数模转换器 位数 14 数模转换器数 2 建立时间 35ns（典型值） 输出类型 Current - Unbuffered 差分输出 是 数据接口 并联 电压 - 供电，模拟 3V ~ 5.5V 电压 - 供电，数字 2.7V ~ 5.5V INL/DNL (LSB) ±1.5，±1.0 工作温度 -40°C ~ 85°C 封装/外壳 48-LQFP 供应商器件封装 48-LQFP（7x7

在构建高效可靠的半桥功率级时，驱动器的性能与信号相位配置直接影响系统设计的便捷性和性能。SiLM2023CA-DG一款高性能200V半桥门极驱动器，采用SOP-8封装，其独特的高/低边信号相位配置为设计提供了更大的灵活性。 核心优势： 1.200V 高边浮动通道： 集成专为自举操作设计的浮动通道，轻松驱动高边 N 沟道 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 200V。 2.卓越的电气鲁棒性： 采用专有高压 IC 工艺和锁存免疫 CMOS 技术，耐受瞬间负压 并 抵抗开关噪声 (dV/dt) 干扰

产品优点： 1.托盘可拿下 2.每个托盘配盖子 3.带把手 4.托盘（周转箱）表面光滑、一次成型

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在电机驱动、电源转换等高频功率系统中，高低边门极驱动器的可靠性直接影响整机性能。SLM2186CA-AQ，凭借SOP8封装兼容性与强化电气性能，成为IR2186的理想升级方案。 一、核心定位：IR2186的完美兼容替代 -引脚兼容性：SOP8封装与IR2186完全一致，无需修改PCB布局即可直接替换，显著降低设计迁移成本。 -高压耐受能力：支持600V全电压浮动通道，采用专有HVIC技术与锁存免疫CMOS工艺，避免高dV/dt噪声导致的误触发，提升系统鲁棒性。 -宽供电适应性：驱动

具超宽工作电压、极速开关性能SLM27511AC-7G单通道驱动器专为高效驱动MOSFET和IGBT设计，凭借其出色的参数表现和SOT23-6封装，代替UCC27511。 一核心亮点与性能解析： 1.超宽电压适应力： 支持4.5V至20V的单电源供电范围。这一特性使其能无缝覆盖从低电压数字系统到标准工业驱动电压的广泛应用，尤其适合电池供电设备或需要宽输入裕量的场景，通用性极强。 2.卓越极速开关： -超低传输延迟： 典型值仅18ns，确保控制信号到功率管动作的精准快速响应。 -

SLM27526EN-DG这款双通道高速低边门极驱动器在仅3x3mm的DFN封装内，集成了非对称大电流驱动与纳秒级同步精度，专为高效开关系统优化设计。 核心优势解析： 1.非对称双通道强驱： -每通道提供 4.5A峰值源电流(Source) 与 5.5A峰值灌电流(Sink) ——灌电流能力比源电流高22%，针对性优化开关关断速度，显著降低MOSFET/IGBT关断损耗。 -通道匹配精度达2ns（典型值），确保双相电源/电机控制等场景的精准同步。 2.极速动态响应： -18ns超低传播延迟（典型值） + 7ns/6

AD8541ARTZ 1MHz CMOS 轨到轨运算放大器 产品概述 AD8541ARTZ 是一款单电源供电的轨到轨输入/输出运算放大器，具有极低的供电电流和 1 MHz 带宽。它保证可在 2.7 V 单电源以及 5 V 电源下工作。AD8541ARTZ 在低电流消耗（45 μA）下提供 1 MHz 带宽。 特点 单电源供电：2.7 V 至 5.5 V 低供电电流：45 μA/运算放大器 宽带宽：1 MHz 无相位反转 低输入电流：4 pA 单位增益稳定 轨到轨输入和输出 应用 ASIC 输入或输出放大器 传感器接口 压电换能器放大器 医疗仪器 移动通信 音

SLM27524GB-DG是专为高频功率系统设计的双通道低边驱动器，凭借18ns超低传播延迟和7ns/6ns开关速度，为MOSFET/IGBT及GaN功率器件提供精准驱动，显著提升电源转换效率与响应速度。 二、产品性能 1.极速开关性能 -传播延迟典型值18ns，通道间延时匹配仅2ns，确保多相电源严格同步； -上升/下降时间达7ns/6ns，减少开关损耗，适配MHz级高频应用。 2.强悍驱动能力 -双通道独立输出：4.5A源电流+5.5A灌电流（@12V供电），直接驱动大功率管； -支持双通道并联，合并输

SLMi8232系列型号选型： SLMi8232BDCG-DG SLMi8232DDCG-DG 在紧凑型电源与高频开关场景中，驱动器的时序精度与集成度直接影响系统性能。SLMi8232系列双通道隔离驱动器以40ns超低延迟、18ns级同步精度及单封装5kVRMS隔离，为小功率应用提供高性价比驱动解决方案。 核心性能： 时序控制专家： -40ns传输延迟：加速开关响应，提升轻载能效 -双18ns黄金指标：典型值18ns脉宽失真+18ns通道匹配，保障信号完整性 -可编程死区时间：硬件级防直通，确保桥路安全运行 高集

SLM21814CJ-DG 高低边门极驱动器，这款采用 SOP14 封装的驱动器，专为高效、可靠地驱动高压半桥或全桥拓扑中的 MOSFET 和 IGBT 而设计，尤其在需要高速开关和强驱动能力的应用中表现出色。 SLM21814CJ-DG 的核心在于其独立的高边和低边输出通道。高边通道采用浮动设计，配合自举电路，可轻松驱动工作电压高达 600V 的 N 沟道功率管（MOSFET/IGBT）。这使得它成为构建电机驱动、开关电源（如 LLC、PFC）、逆变器等半桥/全桥功率级的理想选择。其设计兼容性广泛

各位照明与电源设计的同仁，今天聚焦一款极具特色的线性恒流LED驱动芯片——SLM561A系列。这款采用微型SOD123封装的器件，以其超宽工作电压范围（1.3V至60V）、真正无需任何外围元件的设计以及卓越的可靠性，为中低电流LED应用提供了极其简洁且坚固的恒流解决方案。 核心定位： SLM561A 是一款单通道、高压线性恒流源 (CCR) LED 驱动芯片。其核心价值在于极致的简单性和超强的环境适应性。它摒弃了传统方案所需的设定电阻等外围元件，自身即可在10mA

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在追求更高功率密度与效率的开关电源设计中，MOSFET 门极驱动器的性能至关重要。面对高频大电流应用（如电信、数据中心、工业设备）中低导通电阻、大电流承载与快速开关难以兼顾的挑战，SiLM27213 系列专用 MOSFET 门极驱动器提供了创新解决方案，显著提升系统效能。 SiLM27213 系列核心优势： 1.高集成度与可靠性： 集成高可靠性自举二极管，有效节省 PCB 空间，降低系统 BOM 成本，同时提升方案整体可靠性，助力设备小型化。 2.卓越抗干扰性： HI/LI

大家好，今天想和大家深入聊聊一款非常适用于汽车照明和工业LED应用的高集成度驱动芯片——SiLM42280CN-AQ。这款SOP16-EP封装的器件，堪称中小功率线性LED驱动的“多面手”，尤其在设计严谨的汽车电子领域表现出色。 一、核心亮点：独立三通道，灵活驱动 SiLM42280CN-AQ 的核心是三个完全独立的线性恒流输出通道，每个通道可驱动高达 150mA 的LED电流。更灵活的是，这三个通道可以并联使用，轻松应对单个通道电流需求高达 450mA 的应用场景。无论是复杂

在需要高压输入、中小电流供电的应用中（如电动两轮车、工业现场设备），寻找兼具宽电压范围、高效率和紧凑封装的降压方案是工程师的常见挑战。SiLM6582CB-DG同步降压DC-DC变换器正是为此而生。这款采用标准SOP8-EP封装的芯片，以其高达95V的输入能力和优异的轻载效率，为高压供电系统提供了简洁可靠的电源核心。 一、核心价值：高压兼容，高效节能 SiLM6582CB-DG的核心优势在于其宽广的输入适应性和全负载范围的高效率： 1.超宽输入范围： 支持 6V

在电机驱动、逆变器和工业电源等要求高可靠性的功率系统中，隔离驱动器的性能与保护能力直接关系到系统的安全和效率。SLMi332系列单通道隔离驱动器，集成了2.5A峰值驱动能力与多重关键保护功能，并完美兼容光耦驱动接口，为工程师升级或设计高鲁棒性功率系统提供了强大支持。 一、核心价值：强劲驱动 + 主动防护 + 无缝升级 1.强劲驱动，适配主流器件： 提供高达 2.5A 的峰值拉/灌电流，能够高效驱动包括大功率 IGBT 和 Si MOSFET 在内的各类功率

STM32G0B1CCU6：64MHz，32位 ARM®Cortex®-M0+ 微控制器IC，UFQFPN-48 核心处理器：ARM®Cortex®-M0+ 内核规格：32位 速度：64MHz I/O 数：44 程序存储容量：256KB（256K x 8） RAM 大小：144K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V 数据转换器：A/D 17x12bSAR; D/A 2x12b 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳：48-UFQFPN（7x7） （供求芯片）星际金华，明佳达长期供应及回收原装库存器件： 【供应/回收】STM32G0B1CCU6（32位微控制器）、AD8310ARMZ对数放大器、AD829ARZ运算放大器。 AD8310ARMZ：90dB，400

今天深度解析一款面向汽车与工业电机驱动的高集成度、智能化解决方案——SiLM9714SET-AQ (QFN6x6-40封装)。这款芯片将4路半桥驱动、宽共模电流检测、智能控制逻辑及多重保护完美集成，显著简化多通道电机驱动设计。 核心集成优势与智能化驱动： 1.四合一高效驱动： -集成4个独立半桥驱动器，工作电压范围宽达 4.9V 至 37V (40V Abs Max)，轻松驱动多种电机（有刷直流电机等）或负载。 -支持灵活的半桥、全桥及SPI控制模式，提供4个带映射功能的PWM输入，

痛点突破： 传统升压方案在 宽负载效率 与 瞬态响应 间难以兼顾？SLM6260以 6A峰值电流、24V输出、50mΩ集成MOS 为核心，通过 PWM/PFM双模式自动切换 + 全保护集成，为电池供电设备提供高密度、高可靠的电源解决方案。 硬核性能： 1.强悍功率输出： -2.7-5.5V输入 → 24V可调输出（覆盖3S锂电池升压需求） -6A峰值开关电流 + 50mΩ超低阻MOSFET（大幅降低导通损耗） -800kHz固定频率 → 减小电感体积，优化EMI特性 3.能效智能优化： -重载/中载：PWM模式（稳定大电流

TLD1120EL 1通道高侧驱动器，集成输出级 产品描述 TLD1120EL 专为控制电流高达 360 mA 的 LED 而设计。在典型的汽车应用中，该器件可驱动例如 3 个红色 LED，电流高达 180 mA，受热散热因素限制。输出电流几乎不受负载和供电电压变化的影响。 特点 1 通道器件，集成输出级（电流源），优化用于驱动 LED 输出电流最高可达 360 mA 睡眠模式下低电流消耗 通过 VS 和 EN 引脚支持 PWM 操作 输出电流可通过外部低功耗电阻调节，并可连接 PTC 电阻以在过温条件下保护 LE

在电机控制与开关电源设计中，高低边驱动的抗干扰能力与时序精度直接决定系统稳定性。SLM2110CG凭借 600V全压运行+1.6A峰值灌电流，为高压半桥架构提供单芯片驱动解决方案。 一、高压环境下的生存之道 1.600V耐压壁垒 -支持自举供电的浮动高边通道 -dV/dt免疫设计：抵御开关瞬态负压冲击 2.宽驱动力域 -驱动电压：10V-20V（适配主流MOSFET/IGBT门极） -逻辑兼容性：3.3V/5V/15V（直连MCU无需电平转换） 二、精准控制核心设计 1.纳秒级时序控制 -140ns开关延时（

TUSB212IRWBR USB 2.0 高速信号调节器带直流升压 产品描述 TUSB212IRWBR 是一款 USB 高速 (HS) 信号调节器，专为补偿传输通道中的 ISI 信号损耗而设计。 TUSB212IRWBR 采用专利待批设计，对 USB 低速 (LS) 和全速 (FS) 信号无影响。LS 和 FS 信号特性不受 TUSB212IRWBR 影响，而 HS 信号则得到补偿。 功能 兼容 USB 2.0、OTG 2.0 和 BC 1.2 引脚连接或 I2C 可配置 支持 LS、FS、HS 信号 超低 USB 断开和关机功耗 通过菊花链设备选择信号增益以适应高损耗应用 D1P/M 和 D2P/M 可互换且主机/设

在追求高功率密度的高压驱动应用（如无人机动力系统、数据中心/通信基站电源、高端音频功放）中，工程师面临小型化、高效率与高可靠性的多重挑战。SiLM826xHB系列（含63/64/65型号） 是一款采用紧凑5x5mm LGA-13封装的双通道隔离栅极驱动器，旨在提供强大的驱动能力与卓越的电气隔离性能。 核心性能亮点： 1.强劲驱动，高效赋能： -提供高达 10A峰值 的源电流和灌电流输出，可高效驱动大功率MOSFET、IGBT或GaN HEMT。 -支持高达 30V 的输出电压范围，满足

LTC3704EMS 正向至负向 DC/DC 控制器 产品概述 LTC3704EMS 是一款宽输入电压范围、电流模式控制的正向至负向 DC/DC 控制器，可驱动 N 沟道功率 MOSFET，且仅需极少外部组件。该器件适用于低至高功率应用，通过利用功率 MOSFET 的导通电阻消除对电流检测电阻的需求，从而实现最高效率。 特点 高效率运行（无需电流检测电阻） 宽输入电压范围：2.5V 至 36V 电流模式控制提供卓越的瞬态响应 高最大占空比（典型值 92%） ±1% 内部电压参考 ±2% RUN 引脚阈值，带 100mV

各位关注隔离电源设计的朋友，关于在小功率隔离转换领域极具匠心的芯片——SiLM6201BAD-7G。这款专为驱动隔离变压器设计的推挽式控制器，创新性地将功率MOS对管、关键保护电路集成于微型SOT23-5封装中，为构建紧凑、可靠的隔离DC-DC模块（如反激、推挽）提供了核心驱动力，尤其适用于工业自动化、过程控制等严苛环境。 一核心优势与技术亮点： 1.极致集成，简化设计： -最大亮点：内置完整的功率MOS对管（N+N）。无需外部分立MOSFET，大幅简化电路

在电动两轮车、无人机、工业控制及通信设备中，常面临从高电压（如多节锂电池组或高压母线）为低压微控制器、传感器或外围电路供电的需求。SiLM6583CB-DG 正是为此类高压小电流场景量身打造的高效、紧凑型同步降压（Buck）DC-DC变换器。 一核心优势：高压输入与卓越能效 1.超宽输入电压范围：6V 至 95V - 轻松应对多节锂电池串联（如电动自行车、滑板车）、工业24V/48V母线、甚至更高电压瞬态的场景，提供极大的设计裕量。 2.高效同步整流： 内部集

VND5N07TR OMNIFET II 全自动保护型功率MOSFET晶体管 产品描述 VND5N07TR 是一款采用 VIPower®M0 技术设计的单片器件，旨在替代直流至 50 kHz 应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能，可在恶劣环境中保护芯片。 特性 线性电流限制 热关断 短路保护 集成钳位 输入引脚低电流消耗 通过输入引脚提供诊断反馈 静电放电（ESD）保护 直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动） 与标准功率MOSFET兼容 明佳达，星际金华 供应 MOSFET晶体管VND5N07TR，L9679

在≤360mA输出的家电/工业场景中，线性变压器与阻容降压方案面临效率低（＜60%）、浪涌风险高、EMI设计复杂三重挑战。LNK306DN-TL通过超高集成度架构，以同等BOM成本实现性能全面跃升，成为小功率非隔离电源的革新标杆。 技术突破性设计： 1.全集成单芯片方案 -内置 700V MOSFET + 振荡器/开环控制/逐周期限流，支持 Buck、Buck-Boost及反激拓扑 -自供电架构省去偏置电路，仅需 1mH电感输出120mA -光耦反馈优化调整率（无需安规认证） 2.原生保护降本增效 -完