瑞斯特(RST) 74HC86是一款基于高速CMOS工艺的四路2输入异或门逻辑集成电路，采用14引脚封装，内部集成四个完全独立的EXCLUSIVE-OR门单元。该器件工作电压范围为2.0V至6.0V，在5V供电条件下典型传播延迟约为6ns，静态功耗极低，输入漏电流不超过±1μA，同时兼容CMOS电平输入标准。芯片输入端内置钳位二极管，ESD防护等级达到HBM 3500V以上，抗闩锁能力超过250mA，符合JEDEC JESD8C与JESD7A规范要求。其布尔逻辑功能满足Y = A⊕B的异或运算，即当两路输入电平不同时

一、优恩半导体单极通用型-差模浪涌保护方案 方案特色： 1、根据电路的最大工作电流及浪涌电流的大小选择合适的熔断保险做后端负载过载、短路及TVS管失效时的保护； 2、通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护； 3、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。 二、优恩半导体单极带极性反接保护-差共模浪涌防护方案 方案特色： 1、通过在电路上并接电压精度高、响应速度快

74HC05是瑞斯特（RST）推出的一款高速CMOS六路反相器逻辑IC，其核心特征在于采用开漏输出结构。该器件内部集成六个独立的单输入反相单元，每个单元在输入为高电平时输出低电平，输入为低电平时输出端呈现高阻态（Z状态）。芯片供电电压范围为2.0V至6.0V，兼容JESD7A与JESD8C标准。在5V典型工作条件下，输入高电平阈值不低于3.15V，低电平阈值不高于1.35V；输出低电平在4mA灌电流时低于0.33V，关态漏电流在Vcc=6V时不超过±5μA。动态特性方面，Vcc=4.5V时传

一、概述VK1650是一种带键盘扫描电路接口的 LED 驱动控制专用芯片， 内部集成有数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描等电路。SEG脚 接LED阳极，GRID脚接LED阴极，可支持8SEGx4GRID的点阵 LED显示。最大支持7x4按键。本芯片性能稳定质量可靠，抗干 扰能力强,适用于24小时长期连续工作的应用场合。采用SOP16、 DIP16的封装形式。 Z130+199 特点 • 工作电压 3.0-5.5V • 内置RC振荡器 • 8个SEG脚，4个GRID脚 • SEG脚只能接LED阳极，GRID脚只能接LED阴极 • 7×4矩阵按键,不支持组

SN74LVC1G10是瑞斯特（RST）推出的一款单通道三输入NAND门逻辑器件，采用LVC（Low-Voltage CMOS）工艺制造，具备宽电压工作范围、过压容限输入及施密特触发输入等特性。该器件支持1.65V至5.5V的供电电压，输入可耐受高达5.5V的过压信号，使其能够在3.3V与5V混合电压系统中直接作为电平转换器使用。芯片集成IOFF电路，支持部分掉电模式操作，在VCC=0V时输出自动进入高阻态，有效防止反向电流损坏器件。所有输入端均配置施密特触发器，对缓慢变化的输入信号

瑞斯特(RST) SN74HCT166是一款基于CMOS工艺的8位并行输入/串行输出移位寄存器集成电路，采用16引脚封装，支持同步并行加载和同步串行移位两种数据输入模式。该器件配置一个串行数据输入端（DS）、八个并行数据输入端（D0至D7）、一个串行数据输出端（Q7），以及时钟输入（CP）、时钟使能（CE）、并行使能（PE）和异步主复位（MR）四个控制端。当PE为低电平时，器件在CP的下一个上升沿将D0至D7的并行数据同步加载至移位寄存器；当PE为高电平时，数据

瑞斯特(RST)推出的SN74HC573是一款基于CMOS工艺制造的八通道透明D型锁存器，集成三态输出控制功能。该器件包含8路独立的D型锁存器，共享一个锁存使能端(LE)和一个低电平有效的输出使能端(OE)。当LE为高电平时，锁存器处于透明模式，输出实时跟随输入变化；当LE由高电平跳变为低电平时，输入端在建立时间之前的数据被锁存并保持，此后输出不再受输入变化影响。OE端控制三态输出的使能与关断，其操作不影响锁存器内部状态。该器件工作电压范围为2

一、概述VK1072D是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大 72点(18SEG×4COM)的LCD屏,也支持2COM和3COM的LCD 屏。单片机可通过三条通信线配置显示参数和发送显示数据， 也可通过指令进入省电模式Z130+178 特点 • 工作电压 2.4-5.2V • 内置256 kHz RC振荡器（上电默认） • 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）可配置为1/2、1/3、1/4 • 内置显示RAM为32x4位 • 省电模式（通过关显示和关振荡器进入） • 3线串行接口 • VLCD脚调节LCD电压 • 软件配置LC

Fair-Rite是美国的一家专业生产铁氧体磁芯的制造商，成立于1952年，总部位于纽约州。该公司以创新工艺和材料技术著称，作为磁性元件领域的先驱者，Fair-Rite拥有着雄厚的技术实力和丰富的行业经验，专注于EMI抑制、电源转换及RFID应用领域，为全球客户提供铁氧体磁芯、磁珠、绕线磁环等产品及工程设计服务。 产品特性 Fair-Rite产品具有高磁导率、低损耗特性，广泛应用于无线充电系统、工业自动化、医疗设备、新能源汽车等场景，可兼容大功率系

芯片介绍 GC1109是一款高性能、高度集成的射频前端模块，专为高功率工业、科学、医疗(ISM)频段应用而设计，工作频率为860至930MHZ，GC1109最大输出功率为30dBm。 GC1109设计用于易于使用和最大灵活性，具有完全匹配的50欧 TX和RX输入以及天线输出，并且数字控制兼容1.2至3.6VCMOS电平。 GC1109采用16引脚、3.0x3.0x0.75 mm多芯片模块(MCM)封装，非常适合空间受限的应用场合。 GC1109具有出色的易用性和最大灵活性，应用领域广泛，包括智能表计、集中器、智能路灯、

瑞斯特(RST) SN74HC132是一款基于CMOS工艺制造的四路2输入施密特触发与非门集成电路，提供SOP-14L和TSSOP-14L两种封装选择。该器件内部集成四个独立的2输入与非门单元，每个输入端均内置施密特触发器结构，可将缓慢变化的输入信号转换为边沿陡峭、无抖动的输出信号。逻辑功能遵循标准与非关系Y = A·B，即当且仅当两个输入端均为高电平时输出为低电平，其余输入组合下输出均为高电平。工作电压范围覆盖2.0V至6.0V，兼容JEDEC JESD8C（2.7V至3.6V）和JESD7A（2.

GPS无源陶瓷天线KH-GPS080804-WY KH-GPS080804-WY是一款高性能的GPS无源陶瓷天线，尺寸紧凑（884mm），专为集成度高、空间受限的设备设计。采用先进陶瓷材料，具备优异的信号接收能力与稳定性，低噪声系数，确保精准定位。 品　　牌： kinghelm(金航标) 厂家型号： KH-GPS080804-WY 商品毛重： 1.76克(g) 包装方式： 托盘

瑞斯特(RST) SN74HC541与SN74HCT541是两款八通道非反相缓冲器/线驱动器，集成三态输出功能，采用20引脚标准封装，专为总线驱动与信号缓冲应用设计。两款器件的核心差异体现在输入电平兼容性上：SN74HC541支持CMOS电平输入，工作电压范围为2.0V至6.0V；SN74HCT541则兼容TTL电平输入，工作电压限定于4.5V至5.5V。器件配置两个独立的低电平有效输出使能端（OE1与OE2），经内部与非门逻辑组合后控制所有八通道输出的使能状态，任一使能端为高电平时输出即进入高

一、优恩半导体OVP/OCP/SURGE多功能电源输入保护 1、通过在电源输入端口串接多功能电源保护模块PPM对后端电路进行保护； 2、满足稳态过压OVP保护功能，防止最大60V电压错接入； 3、满足过流、短路OCP保护功能，电流最大可以支持5A； 4、满足差模±2KV浪涌保护； 5、满足电源极性反接保护功能； 6、如客户产品需要设计共模保护，在GND与PE之间再并联一颗陶瓷气体放电管即可。 二、优恩半导体单极通用型-差模浪涌保护 1、根据电路最大工作电流及浪涌电

电路中的磁性元器件主要分为：电感、变压器。 电感和变压器与其他元器件不同，具有高度定制化的特点，设计使用者需要从磁性元件的多个参数出发分析设计，考虑工艺、体积结构、散热干扰等方面，设计出符合用户需求的产品。 磁芯作为电感和变压器的重要组成元件之一，对电感性能影响巨大，下面Ferroxcube飞磁代理 维创域 为您介绍不同形状的磁芯特点和用途。 1、E型磁芯（Ferroxcube飞磁E型磁芯） 特点：引线空间大，绕制接线方便。适用范围广

瑞斯特(RST) RSTV6P04 REVA是一款采用SOT-223表面贴装封装的P沟道增强型功率MOSFET，其核心定位为低压、中小电流功率开关应用，特别适用于便携式电子设备及电池供电系统。该器件漏源耐压-40V，连续漏极电流额定值-6.5A（壳温25°C条件下），100°C时降至-3.9A，在VGS=-10V、ID=-6.5A时导通电阻典型值36mΩ（最大值44mΩ），在VGS=-4.5V、ID=-4A时导通电阻典型值52mΩ（最大值68mΩ），栅源耐压为±20V，最大结温150°C，存储温度范围-55°C至150°C。热性能方面，结到外壳热阻8.1

一、概述VK2C24A是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大284点 (71SEG×4COM)/536点(67SEG×8COM)/944点(59SEG×16COM)的 LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据,也 可通过指令进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的特性适用于水 电气表以及工控仪表类产品Z130+95 • 工作电压 2.4-5.5V • 内置32 kHz RC振荡器 • 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3、1/4、1/5 • COM周期（DUTY）可配置为1/4、1/8、1/16 • 内置显示RAM为76x4位、68x8位、60x16位 • 帧频可配置为80Hz

RSTT150N45 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，定位于中高耐压、中等电流的功率开关应用。该器件在25℃壳温下具备150V的漏源耐压和20A的连续漏极电流能力，典型导通电阻为44mΩ（VGS=10V），最大功耗45W，热阻结到壳2.8℃/W。芯片通过100% UIS（非钳位感性开关）和Rg测试，具备单脉冲90mJ的雪崩能量承受能力与19A的雪崩电流能力，工作结温范围覆盖-55℃至150℃，整体呈现出高耐压、中等导通电阻、低栅极电荷和良好雪崩耐受性

电路中的磁性元器件主要分为：电感、变压器。 电感和变压器与其他元器件不同，具有高度定制化的特点，设计使用者需要从磁性元件的多个参数出发分析设计，考虑工艺、体积结构、散热干扰等方面，设计出符合用户需求的产品。 磁芯作为电感和变压器的重要组成元件之一，对电感性能影响巨大，下面Ferroxcube飞磁为您介绍不同形状的磁芯特点和用途。 1、E型磁芯（Ferroxcube飞磁E型磁芯） 特点：引线空间大，绕制接线方便。适用范围广、工作频率高

瑞斯特(RST) RSTT60N033 REVA是一款采用TO-220通孔封装的N沟道增强型功率MOSFET，定位于超低导通电阻、超大电流应用场景。该器件具备60V耐压等级与180A连续漏极电流能力（受键合线限制，硅片计算最大电流约120A），在VGS=10V时典型导通电阻低至3.3mΩ，兼顾高电压裕量与极低的导通损耗特性。产品通过100% UIS及Rg测试，热阻参数为结到壳0.65℃/W、结到环境62.5℃/W，结温工作范围-55℃至150℃，最大壳温耗散功率192W，单脉冲雪崩能量达576mJ（L=0.5mH），雪崩电流能力

瑞斯特(RST) RSTT16N25 REVA是一款采用TO-220通孔封装的N沟道增强型功率MOSFET，定位于高压中等功率应用场景。该器件具备250V耐压等级与15.7A连续漏极电流能力，在VGS=10V时典型导通电阻为50mΩ，兼顾高电压裕量与适中的导通损耗特性。产品通过100% UIS及Rg测试，热阻参数为结到壳2.1℃/W、结到环境62.5℃/W，结温工作范围-55℃至150℃，最大壳温耗散功率59.5W，整体呈现出高耐压、高可靠性的技术特征，适用于对电压应力与功率处理均有较高要求的功率电子系统。

一、概述VK1072B是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大 72点(18SEG×4COM)的LCD屏,也支持2COM和3COM的LCD 屏。单片机可通过三条通信线配置显示参数和发送显示数据， 也可通过指令进入省电模式。Z130+60 特点 • 工作电压 2.4-5.2V • 内置256 kHz RC振荡器 • 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）可配置为1/2、1/3、1/4 • 内置显示RAM为32x4位 • 省电模式（通过关显示和关振荡器进入） • 3线串行接口 • VLCD脚用来调节LCD电压 • 软件配置LCD显示参

分享一个做飞磁磁芯这几年总结的经验，也欢迎大家讨论👇 很多工程师在高频变压器选型时，习惯直接上PQ型，觉得功率密度高就是王道。但实际项目中，我发现不少场景下ETD反而更合适——尤其是安规要求严格的工业电源和充电桩模块，ETD的爬电距离和绕线工艺优势，能省掉很多后续整改的麻烦。 材质方面，3C95在100kHz-300kHz这个主流频段确实是性价比最优解，但如果你的工作温度经常跑到100°C以上，3C97的损耗曲线会更平缓，高温下的表现明显更稳

电子装联生产过程当中，不同材质元器件引脚的可焊性能差异较大，部分金属基材表面很容易生成氧化膜，直接开展焊接作业容易出现润湿不良，焊点强度达不到设计标准，搪锡就是在引脚表面生成一层锡或者锡铅合金镀层，以此改善后续焊接适配性的预处理工序，宁波中电集创在航天、工控类电子装联工艺落地过程中，积累了不少全自动搪锡设备配套工艺实操经验，不管是采用设备自动加工还是传统手工辅助处理，都要把控材料选型、工具校验、日

瑞斯特(RST) RSTNG100N13A2H是一款采用DFN3.3x3.3C-8_EP封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定耐压100V，连续漏极电流36A（壳温25°C条件下），具备低导通电阻、紧凑封装和高可靠性的技术特点。该产品采用先进的沟槽栅工艺，在VGS=10V、ID=16A条件下典型导通电阻为13mΩ，最大不超过16mΩ，栅极阈值电压范围为2V至4V（典型值3V），栅源耐压±20V，兼容主流控制器和驱动IC的驱动电平。器件通过100% UIS（非钳位感性开关）和Rg测试，单脉冲雪崩电流19A，雪崩能量90mJ（L=0.5mH

瑞斯特(RST) RSTNG60P32A1 REVA是一款采用先进工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5×6A-8_EP封装，具备-60V耐压等级与-26A连续漏极电流能力，典型导通电阻低至32mΩ（VGS=-10V）和40mΩ（VGS=-4.5V），在同类P沟道器件中展现出优异的导通损耗特性与热性能。该器件通过100% UIS（非钳位感性开关）测试，单脉冲雪崩能量达72mJ（L=0.5mH），雪崩电流-17A，具备可靠的抗雪崩击穿能力，同时满足RoHS环保标准要求，适用于对高边开关与互补驱动有需求的电源管理应用。

RSTNG40N008A1 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5×6-8L封装，面向超大电流、极低导通电阻的功率应用设计。该器件在40V耐压等级下实现了0.85mΩ（VGS=10V）和1.2mΩ（VGS=4.5V）的超低典型导通电阻，连续漏极电流能力高达265A（TC=25°C），脉冲电流可达795A。其最大结温提升至175°C，功率耗散在壳温25°C时达到250W，热阻RθJC仅为0.6°C/W，整体电气性能与热性能在40V电压等级国产器件中处于顶尖水平，特别适用于对导通损耗极度敏感且需要超

RSTNG40N02YX RevA是瑞斯特(RST)推出的一款超高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，基于先进沟槽栅极工艺制造。该器件额定漏源耐压40V，在VGS=10V条件下典型导通电阻低至1.8mΩ（最大2.2mΩ），连续漏极电流额定值高达160A（TC=25°C），脉冲漏极电流可达400A。芯片内部集成源漏体二极管，支持反向续流功能，同时具备雪崩能量耐受能力，单脉冲雪崩能量EAS达211mJ（L=0.1mH），雪崩电流IAS为65A。器件栅源耐压为±20V，最大结温175°C，存储温度范围-55°C至

RSTN6009 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5×6A-8_EP封装，具备60V耐压和90A连续漏极电流能力，在VGS=10V时典型导通电阻低至6.5mΩ。该产品经过300μs脉冲漏极电流测试验证，单脉冲雪崩能量EAS在L=1mH条件下达244mJ，具备优异的抗雪崩击穿能力，同时符合RoHS无铅环保标准，适用于对功率密度、热性能和可靠性要求严苛的大电流电源管理与功率转换应用。

RSTN30160MP是瑞斯特（RST）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，定位于超大电流低压电源管理应用。该器件具备30V的漏源耐压能力，连续漏极电流额定值达160A（壳温25°C条件下），在VGS=10V时典型导通电阻低至1.5mΩ，VGS=4.5V时为2.2mΩ，兼顾了高效率与低电压驱动兼容性。器件通过100% UIS（非钳位感性开关）测试，单脉冲雪崩电流131A，雪崩能量858mJ，展现出极为优异的鲁棒性和抗雪崩击穿能力。热性能方面，结到壳稳态热阻为1.6°C/W，结到环境

瑞斯特(RST) RSTN3383GA2 REVA是一款采用DFN3.3×3.3G-8EP2封装的双N沟道增强型功率MOSFET，单片集成两个独立可控的N沟道MOSFET，单管额定耐压30V，连续漏极电流20A（壳温25℃），在VGS=10V条件下典型导通电阻8.2mΩ，VGS=4.5V时典型值为11mΩ。该器件具备低栅极阈值电压（1.3V~2.5V）、高跨导（12.5S典型值）以及优异的热性能，结壳热阻低至6℃/W，最大结温150℃，单脉冲雪崩能量达39mJ，通过100% UIS与Rg测试，整体电气特性兼顾了低导通损耗与快速开关响应，适用于对空间

OVP/OCP/SURGE多功能电源输入保护 1、通过在电源输入端口串接多功能电源保护模块PPM对后端电路进行保护； 2、满足稳态过压OVP保护功能，防最大60V电压错接入； 3、满足过流、短路OCP保护功能，电流最大可支持5A； 4、满足差模±2KV浪涌保护； 5、满足电源极性反接保护功能； 6、如产品需设计共模保护，在GND与PE之间再并联一颗GDT放电管即可。 推荐产品：电源保护模块PPM 通用型-差模浪涌保护 1、根据电路最大工作电流及浪涌电流的大小选择合适的熔断保

瑞斯特(RST) RSTN517A5 REVA是一款采用DFN2x2-6封装的互补型双沟道增强型MOSFET，内部集成一颗N沟道和一颗P沟道功率管，N管额定耐压12V、连续漏极电流4.5A，P管额定耐压-12V、连续漏极电流-4.5A。N管在VGS=4.5V条件下导通电阻典型值24mΩ，VGS=2.5V时为28mΩ；P管在VGS=-4.5V条件下导通电阻典型值50mΩ，VGS=-2.5V时为66mΩ。该器件采用超小型封装设计，DFN2x2-6封装尺寸仅2mm×2mm，高度0.70mm至0.80mm，结到环境热阻RθJA稳态值为85°C/W（10秒瞬态为135°C/W），适用于空间受限的便携

RSTN70N06A1 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款单N沟道增强型MOSFET器件，采用DFN5x6-8封装，适用于高功率密度、大电流开关应用。该器件耐压等级为68V，在VGS=10V时导通电阻典型值低至5.7mΩ，最大值为6.5mΩ，连续漏极电流能力达80A（Tc=25℃），脉冲电流能力高达300A。结温工作范围为-55℃至150℃，100%通过UIS雪崩测试，具备较高的可靠性和鲁棒性，并符合RoHS环保标准。

RSTN60C20A1 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款集成双通道增强型功率MOSFET，采用DFN5×6C-8_EP2封装，单芯片内集成一颗N沟道与一颗P沟道MOSFET。N沟道部分耐压60V/20A，VGS=10V时RDS(ON)典型值26mΩ，VGS=4.5V时33mΩ；P沟道部分耐压-60V/-20A，VGS=-10V时RDS(ON)典型值65mΩ，VGS=-4.5V时80mΩ。两通道共用同一封装，总功耗20.8W（TC=25°C），结到壳热阻RθJC为6°C/W，结到环境热阻RθJA为75°C/W（1平方英寸焊盘）。产品通过100% UIS测试，N沟道单脉冲雪崩能量16mJ/8A，P沟道56mJ/-15A，满足MSL1湿敏等

瑞斯特(RST) RSTN38C03A1 REVA是一款采用DFN5×6C-8_EP2封装的互补双MOSFET器件，单芯片内集成一颗N沟道和一颗P沟道增强型功率管。N沟道管漏源击穿电压BVDSS为30V，在VGS=10V、IDS=8A条件下RDS(ON)典型值8mΩ，最大值11mΩ；在VGS=4.5V、IDS=5A条件下典型值11mΩ，最大值15mΩ。P沟道管漏源击穿电压BVDSS为-30V，在VGS=-10V、IDS=-10A条件下RDS(ON)典型值12mΩ，最大值16mΩ；在VGS=-4.5V、IDS=-5A条件下典型值18mΩ，最大值25mΩ。两管栅源耐压均为±20V，栅极阈值电压VGS(th)范围均为1.5V至2.5V（N

DC36V电源在更高功率需求场景中具有优势，同时仍属于安全特低电压（SELV，≤60V），这种供电系统在多个领域有广泛应用，如大功率伺服电机、工业机械臂、AGV（自动导引车）驱动系统等工业重型设备，电动叉车、低速电动车等电动车辆，高压太阳能路灯、离网储能控制器、电池管理系统（BMS）等储能与光伏系统，大功率LED照明阵列、远程监控设备（如激光夜视摄像头）等高端安防及照明，新能源等领域，针对DC36V电源系统，为确保其稳定可靠，需设

瑞斯特(RST) RSTN30D14A1 REVA是一款采用DFN5x6C-8_EP2封装的双P沟道增强型MOSFET器件，内部集成两颗电气参数一致的P沟道MOSFET，面向大电流高侧开关与功率切换应用。该器件单管耐压-30V、连续漏极电流-45A（壳温25°C），在VGS=-10V时导通电阻典型值仅12mΩ，VGS=-4.5V时22mΩ，在5mm×6mm的紧凑封装内实现了较高的电流密度与极低的导通损耗。器件通过100% UIS（非钳位感性负载开关）测试，单脉冲雪崩能量26mJ，雪崩电流-23A，栅源电压范围±25V，结温上限150°C，具备较强

瑞斯特(RST) RSTN20P018A1 REVA是一款采用DFN5×6-8封装、面向大电流负电源开关场景的P沟道增强型功率MOSFET。该器件在VGS=-10V时典型导通电阻低至1.8mΩ，VGS=-4.5V时典型2.1mΩ，VGS=-2.5V时典型2.7mΩ，栅极阈值电压典型值-0.85V（范围-0.5~-1.3V），支持低至-2.5V的逻辑电平驱动，连续漏极电流在TC=25°C条件下可达-100A（受封装限制），脉冲电流能力高达-400A。其工作结温范围为-55°C至150°C，单脉冲雪崩能量EAS达121mJ（L=0.5mH），雪崩电流IAS为-22A，热阻RθJC稳态值为1.2°C/W，

一、概述 VKL280是一款通用性LCD驱动芯片，可支持最大280点 (35SEG×8COM)的LCD屏，单片机可通过I2C接口配 置显示参数 和读写显示数据。其高抗干扰，超低功耗的特性适用于水电气表 以及工控仪表类产品。Z130+15 特点 • 工作电压 2.5-5.5V • 内置25.6 kHz RC振荡器 • 偏置电压（BIAS）为1/4 • COM周期（DUTY）为1/8 • 内置显示RAM为35×8位 • I2C通信接口 • 内置EVR (Electrical volume register)功能 • VLCD电压范围2.5V~5.5V • 帧频80Hz/71Hz/64Hz/53Hz可调 • 可配置4种功耗模式 •

RSTN20N013A3是瑞斯特（RST）推出的一款单通道N沟道增强型MOSFET，采用SDFN3333B封装，适用于空间受限且需要超大电流驱动的低压功率开关应用。该器件漏源耐压20V，连续漏极电流达100A（TC=25°C）、75A（TC=100°C），脉冲电流能力300A，在VGS=4.5V、IDS=12A条件下典型导通电阻仅1.3mΩ，在VGS=2.5V时仍可保持1.7mΩ的超低阻特性，体现了业界领先的低压驱动性能。芯片内置ESD保护及体二极管，栅源耐压±12V，结温范围-55°C至150°C，热阻RθJC仅3.3°C/W，RθJA（稳态）80°C/W，

瑞斯特RSTN15C04A2JM REVA是一款采用DFN3.3×3.3G-8_EP2封装的N沟道与P沟道双增强型MOSFET集成器件，专为紧凑型H桥及半桥驱动应用而设计。该器件N沟道部分额定漏源电压40V、连续漏极电流20A，在VGS=10V条件下典型导通电阻16mΩ，VGS=4.5V时典型值21mΩ；P沟道部分额定漏源电压-40V、连续漏极电流-15A，在VGS=-10V条件下典型导通电阻32mΩ，VGS=-4.5V时典型值42mΩ。双管最大功耗各13.9W（TC=25°C），结到壳热阻9°C/W，N沟道单脉冲雪崩能量25mJ、P沟道30mJ。产品通过100% UIS及栅极电

材质特性： 3C91 3000 370 220一种在60°C左右具有小功率损耗的中频功率材料，用于频率高达0.33 MHz的电源和通用变压器 3C92 1500 460 280一种低频、高Bsat功率材料，用于频率高达0.2 MHz的输出扼流圈和功率电感器 3C94 2300 380 220一种低频功率材料，用于频率高达0.3 MHz的电源和通用变压器 3C95 3000 410 215一种中低频功率材料，在25至100°C范围内具有低功率损耗，用于频率高达0.4 MHz的电源变压器。特别适用于宽温度范围应用，如汽车、照明和移动/手持设备。 3C96 2000 44

瑞斯特RSTLG100N012 REVA是一款采用TOLL封装的N沟道增强型功率MOSFET，面向超大电流、低导通电阻的功率变换应用。该器件额定漏源电压100V，连续漏极电流高达420A（TC=25°C），在VGS=10V条件下典型导通电阻仅1mΩ，最大功耗312W（TC=25°C），结到壳热阻低至0.3°C/W，单脉冲雪崩能量达2500mJ。产品通过100% UIS（非钳位感性开关）及栅极电阻测试，具备极高的鲁棒性与可靠性，符合RoHS环保标准，适用于对电流承载能力与导通损耗有极致要求的工业电源、电机驱动及不

RSTK30N20 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款30V耐压、9.2A连续漏极电流的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223贴片封装，面向低压大电流开关应用。该器件在VGS=10V、IDS=8A条件下，典型导通电阻RDS(ON)仅为19mΩ，最大不超过25mΩ；在VGS=4.5V、IDS=5A条件下，典型值25mΩ，最大35mΩ，这一低导通电阻特性使其在低压大电流工作条件下具备极低的导通损耗。器件栅源耐压达±20V，最大结温150°C，环境温度25°C时最大耗散功率1.9W，70°C时降至1.2W，热阻RθJA稳态值为65°C/W、10秒脉冲

RSTG6006 REVA是瑞斯特半导体推出的一款60V耐压、15A连续漏极电流的N沟道增强型MOSFET，采用SOP-8表面贴装封装，并达到JEDEC J-STD-020D标准下的MSL1（1级湿度敏感等级）。该器件在VGS=10V、IDS=6A条件下典型导通电阻低至6mΩ，最大导通电阻8mΩ；在VGS=4.5V、IDS=4A条件下典型导通电阻为9mΩ，最大导通电阻11mΩ。栅源电压容限达±20V，栅极阈值电压典型值2V（范围1V至3V），最高结温150°C。器件具备169mJ的单脉冲雪崩能量（EAS），在0.5mH电感测试条件下可承受26A的雪崩电流