RSTN20N013A3是瑞斯特（RST）推出的一款单通道N沟道增强型MOSFET，采用SDFN3333B封装，适用于空间受限且需要超大电流驱动的低压功率开关应用。该器件漏源耐压20V，连续漏极电流达100A（TC=25°C）、75A（TC=100°C），脉冲电流能力300A，在VGS=4.5V、IDS=12A条件下典型导通电阻仅1.3mΩ，在VGS=2.5V时仍可保持1.7mΩ的超低阻特性，体现了业界领先的低压驱动性能。芯片内置ESD保护及体二极管，栅源耐压±12V，结温范围-55°C至150°C，热阻RθJC仅3.3°C/W，RθJA（稳态）80°C/W，在1平方英寸铜箔基板上可满足38W功耗的散热需求，功耗能力在同尺寸产品中表现极为突出。