PBN坩埚的核心原因：
化学惰性 & 高纯度： 高温下几乎不与熔融半导体（如GaAs, InP）反应，避免污染晶体，保障电学性能。
热性能优异： 垂直方向高导热性，利于建立精确温度梯度控制生长界面；低热膨胀系数抗热冲击。
易脱模 & 表面光滑： 熔体不润湿PBN，结合力弱，晶体易完整取出；光滑内壁减少非均质成核。
低放气： 高温真空下放气量极低，不污染生长环境。