comsol磁控溅射

不明白为什么跟文献有那么大差距。
同时也不明白这个约化直流电子迁移率是什么东西，我按照默认来的。
我这个肯定不对，电子密度老是跑偏，不在靶面上。数值上跟别人也差着数量级呢。

看着就想嗷嗷吐

不感兴趣

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等离子体使用电场迁移，计算离子传递属性张量，使用约化电子传递属性，计算电子传递属性张量

靶面上的氩离子分布，很像靶的刻蚀环

参考论文的名称是什么？

我也在做磁控溅射，等离子体模块设置磁场，选择mfnc的话，就计算结果只能跑到10ns，但是用户定义的话，就可以仿真成功，楼主遇到过这种情况吗

楼主，方便加个微信交流一下吗

太痛苦了，我也也一直要么报错要么有问题

不感兴趣

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一般来说电子密度是太低就是等离子体没有启辉，反正我模拟他的在0.5pa也起不了辉，增加气压后，电离概率增加，成功形成等离子体，我的在磁场作用下是长这样

然后就是无磁场作用下，我不明白为什么我的电子密度是10的12次，可能电子耗散掉很多吧，但是为什么又能形成等离子体。

最后就是磁场强度了，我感觉我设置参数差不多，但是距离又比他多了4mm才行

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