瑞斯特(RST) RSTB301Q是采用先进沟槽工艺开发的30V级半桥集成双N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型DFN3×3-8L高密度封装，内部集成专门针对性优化的高侧Q1管与低侧Q2管组成同步降压功率级，高侧Q1主打低开关损耗特性，低侧Q2则以优化导通内阻与栅极电荷的平衡表现为核心，整体实现了优异的栅极电荷-导通内阻FOM品质因数，所有器件完成100% UIS雪崩测试与100% ΔVds特性校验，器件无铅镀层完全合规，支持最高150℃的连续工作结温，适配超小体积高效率同步功率拓扑的设计需求。