RST1570 是瑞斯特采用高密度沟槽元胞工艺的 TO‑220‑3L 直插型 N 沟道增强型功率 MOS，器件漏源耐压 150V，25℃壳温下连续漏极电流 70A，壳温升至 100℃时连续电流降为 49.5A，10V 栅压条件典型导通电阻仅 18mΩ。该型号出厂全部完成 UIS 雪崩与 ΔVds 测试，单脉冲雪崩能量 210mJ，内置特殊工艺提升 ESD 耐受能力，适合感性负载硬开关工况。栅源电压耐受 ±20V，栅极阈值区间 2V‑4V，总栅电荷 148.4nC，集成体二极管可承担续流，工作结温区间‑55℃~175℃，结到外壳热阻低至 0.48℃/W，手册提供输出特性、安全工作区、栅电荷、瞬态热阻抗完整曲线，为中大功率 150V 等级功率变换提供分立器件选型。