RST0224D基于沟槽栅工艺平台开发，是一款面向中高功率硬开关场景的N沟道增强型功率MOSFET。其核心电气参数为200V漏源耐压、24A连续漏极电流（100℃壳温降至17A）、100A脉冲电流能力，导通电阻典型值64mΩ、最大值80mΩ（VGS=10V，ID=15A）。栅源耐压±20V，阈值电压2V~4V（典型3V），跨导典型值30S，结温范围-55℃至175℃，采用TO-263-2L贴片封装，25℃壳温下最大功耗150W，单脉冲雪崩能量250mJ，结到壳热阻1℃/W。动态特性方面，输入电容4200pF、输出电容163pF、反向传输电容75pF；开关时间测试中，开通延迟10ns、上升18ns，关断延迟22ns、下降5ns，总栅极电荷60nC（Qgs=19nC，Qgd=17nC）。体二极管正向电流24A，正向压降最大值1.2V（IS=11A），反向恢复时间90ns，反向恢复电荷300nC（di/dt=100A/μs）。输出特性曲线显示VGS=10V时饱和电流超过100A，转移特性在25℃与175℃下跨导差异较小，Rds(on)温度曲线表明175℃时归一化值约为25℃时的3倍。