瑞斯特(RST) RST0140K2是一款基于先进沟槽工艺开发的100V耐压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L贴片封装。器件在10V栅压下典型导通电阻14.5mΩ、上限17mΩ，最大连续漏极电流40A，100℃壳温下仍保持28A输出能力，脉冲电流峰值高达160A。栅源耐压±20V，额定耗散功率140W，降额系数0.94W/℃，单脉冲雪崩能量520mJ，结温范围-55℃至175℃。与同系列TO-251封装的RST0140I2相比，该型号采用表面贴装形式，更适配自动化回流焊产线，同时保留了相近的电气性能与热管理能力，是大功率贴片式功率开关的优选方案。