RST0106R是瑞斯特（RST）基于先进沟槽技术开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223-3L贴片封装，定位于中小功率开关与电源管理应用领域。该器件的核心电气指标为：漏源击穿电压100V、连续漏极电流6A（25°C环境温度）、100°C时降至4.2A，脉冲漏极电流24A，最大功耗3W。导通电阻典型值110mΩ（VGS=10V, ID=5A），最大不超过140mΩ，在100V耐压等级的小信号MOSFET中具备较低的导通损耗。栅极阈值电压1.2V至2.5V（典型值1.8V），栅源耐压±20V，结温范围-55°C至150°C，击穿电压典型值110V，为零漏极电流条件下提供了10%的电压裕量。