RST01H10D是瑞斯特(RST)推出的一款高压大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-2L贴片封装，基于先进沟槽工艺制造并具备高ESD防护能力。该器件耐压100V，连续漏极电流100A（25°C壳温），100°C壳温下降至80A，脉冲电流能力达380A。导通电阻在VGS=10V、ID=40A条件下典型值9.9mΩ，最大13mΩ。栅源耐压±20V，阈值电压2.0V~4.0V（典型3.0V），最大功耗200W（25°C），降额系数1.33W/°C，结温工作范围-55°C至175°C，热阻RθJC仅0.75°C/W。单脉冲雪崩能量800mJ，击穿电压典型值110V，产品经过100% UIS和ΔVDS测试，采用特殊工艺技术提升ESD能力，适用于硬开关和高频电路。