明佳达电子、星际金华【供应】原装芯片——IKW50N65ES5（IGBT晶体管）、IMZA120R014M1H（MOSFET晶体管）IPW60R099P6。
IKW50N65ES5：650V、50A、TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT晶体管，PG-TO247-3
规格参数：
系列：TRENCHSTOP™
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值：274 W
开关能量：1.23mJ（导通），550µJ（关断）
栅极电荷：120 nC
25°C 时 Td（开/关）值：20ns/127ns
测试条件：400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：70 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
产品特性：
25°C 时 VCEsat 极低，为 1.35 V
4 倍 Ic 脉冲电流（100°C Tc）
软电流下降特性
无尾电流
对称、低电压过冲
最大。结温Tvj= 175°C
IMZA120R014M1H：1200V，CoolSiC™ MOSFET 分立器件——N通道功率MOSFET晶体管，PG-TO247-4
系列：CoolSiC™
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：127A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 23.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：145 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4580 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：455W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4
IPW60R099P6：600V，CoolMOS™ P6 N通道功率MOSFET晶体管， PG-TO247-3
系列 CoolMOS™ P6
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 99 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3330 pF @ 100 V
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 PG-TO247-3
IKW50N65ES5：650V、50A、TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT晶体管，PG-TO247-3
规格参数：
系列：TRENCHSTOP™
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值：274 W
开关能量：1.23mJ（导通），550µJ（关断）
栅极电荷：120 nC
25°C 时 Td（开/关）值：20ns/127ns
测试条件：400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：70 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
产品特性：
25°C 时 VCEsat 极低，为 1.35 V
4 倍 Ic 脉冲电流（100°C Tc）
软电流下降特性
无尾电流
对称、低电压过冲
最大。结温Tvj= 175°C
IMZA120R014M1H：1200V，CoolSiC™ MOSFET 分立器件——N通道功率MOSFET晶体管，PG-TO247-4
系列：CoolSiC™
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：127A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 23.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：145 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4580 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：455W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4
IPW60R099P6：600V，CoolMOS™ P6 N通道功率MOSFET晶体管， PG-TO247-3
系列 CoolMOS™ P6
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 99 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3330 pF @ 100 V
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 PG-TO247-3
