如图，颗粒为美光颗粒 时序c64 只是想延迟低一些
你说是就是吧 优先尝试主板内置优化功能：
很多主板厂商都提供了内存一键优化功能。例如微星（MSI）主板BIOS中的 “Memory Try It” 或 “Memory Timing Preset” ，华硕（ASUS）可能有类似的“D.O.C.P”增强模式，技嘉（GIGABYTE）则有“高带宽、低延迟”模式（但此技术主要针对海力士颗粒）。对于不想手动精细调试的用户，这通常是首选方法，相对省心且稳定性有一定保障。
· 手动调整时序和电压（进阶）：
如果内置功能效果不佳或你想更进一步，就需要手动调试。这是一个“收紧时序-加电压-测试稳定性”的循环过程：
· 主时序调整：在BIOS中，尝试逐步降低CL、tRCD、tRP等主时序。每次只调整一项，幅度要小（例如CL从46降到44），然后保存退出进入系统测试稳定性。
· 副时序优化：tRFC对延迟影响较大，镁光颗粒可以尝试逐步调低此值。tREFI值增加可以小幅提升性能降低延迟（如从默认的32767增加到40000-50000或更高），但提高tREFI会增加内存温度，对稳定性要求更高。务必谨慎调整副时序。
· 电压调整：时序收紧通常需要增加电压来保持稳定。适当提高DRAM Voltage (VDD/VDDQ)，例如从1.35V逐步升至1.4V或更高（务必参考你的内存条标称电压和散热条件，超过1.4V须注意散热）。CPU相关的电压如VDDQ（或IVR Tx VDDQ）、VDD2（或MC VDD2）对内存稳定性也有影响，可以尝试微调（例如从1.25V小幅提升至1.3V-1.35V）。每次只调整一种电压，小幅增加，并密切监控温度。
· 稳定性测试与监控：
任何调整后都必须进行严格的稳定性测试。可以使用 AIDA64系统稳定性测试中的内存测试（据说报错很快）、TestMem5 (TM5)（使用Anta777、Absolut等预设文件）、MemTest86、OCCT等工具。至少测试半小时以上不报错，最好能模拟日常使用（如玩游戏、运行大型软件）一段时间确保万无一失。过程中监控内存温度，DDR5温度过高（尤其超过50-60℃后）会影响稳定性，可能导致错误。
很多主板厂商都提供了内存一键优化功能。例如微星（MSI）主板BIOS中的 “Memory Try It” 或 “Memory Timing Preset” ，华硕（ASUS）可能有类似的“D.O.C.P”增强模式，技嘉（GIGABYTE）则有“高带宽、低延迟”模式（但此技术主要针对海力士颗粒）。对于不想手动精细调试的用户，这通常是首选方法，相对省心且稳定性有一定保障。
· 手动调整时序和电压（进阶）：
如果内置功能效果不佳或你想更进一步，就需要手动调试。这是一个“收紧时序-加电压-测试稳定性”的循环过程：
· 主时序调整：在BIOS中，尝试逐步降低CL、tRCD、tRP等主时序。每次只调整一项，幅度要小（例如CL从46降到44），然后保存退出进入系统测试稳定性。
· 副时序优化：tRFC对延迟影响较大，镁光颗粒可以尝试逐步调低此值。tREFI值增加可以小幅提升性能降低延迟（如从默认的32767增加到40000-50000或更高），但提高tREFI会增加内存温度，对稳定性要求更高。务必谨慎调整副时序。
· 电压调整：时序收紧通常需要增加电压来保持稳定。适当提高DRAM Voltage (VDD/VDDQ)，例如从1.35V逐步升至1.4V或更高（务必参考你的内存条标称电压和散热条件，超过1.4V须注意散热）。CPU相关的电压如VDDQ（或IVR Tx VDDQ）、VDD2（或MC VDD2）对内存稳定性也有影响，可以尝试微调（例如从1.25V小幅提升至1.3V-1.35V）。每次只调整一种电压，小幅增加，并密切监控温度。
· 稳定性测试与监控：
任何调整后都必须进行严格的稳定性测试。可以使用 AIDA64系统稳定性测试中的内存测试（据说报错很快）、TestMem5 (TM5)（使用Anta777、Absolut等预设文件）、MemTest86、OCCT等工具。至少测试半小时以上不报错，最好能模拟日常使用（如玩游戏、运行大型软件）一段时间确保万无一失。过程中监控内存温度，DDR5温度过高（尤其超过50-60℃后）会影响稳定性，可能导致错误。
