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0明佳达,星际金华供应 IN10026DZ-S02D 112Gbaud 四通道差分线性驱动器 产品描述 IN10026DZ-S02D 是一款低功耗、四通道、差分调制器驱动器,专为支持 800G/1.6T PAM4 光模块和 400G 相干系统而设计。 IN10026DZ-S02D 支持差分输入电压以提供差分输出摆幅,同时设计用于驱动灵活的输出终端负载。 IN10026DZ-S02D 还集成了峰值检测器和温度监测电路。峰值检测器输出和温度监测读数可通过 SPI 接口在模拟域或数字域中直接读取。 规格 通道数:4 通道(差分) 最大波特率:11
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0明佳达,星际金华供应 ATSAMC21J17A-AUT、ATSAMC21E17A-AUT、ATSAMC21J18A-AZ 5V 32 位 ARM Cortex-M0+ MCU支持 CAN-FD 产品描述 ATSAMC21J17A-AUT、ATSAMC21E17A-AUT、ATSAMC21J18A-AZ 专为噪声环境中的工业和商业应用而设计。这些产品配备了强大的通信外设,包括 SERCOM 模块和 CAN-FD,以及先进的电机控制外设,并支持外设触控(PTC)功能,用于开发可靠的用户界面。 规格 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心架构:32位 主频:48MHz 连接接口:CAN总线、I2C、LIN总线、SPI、UART/USART 外设:欠压
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1OC5151开关降压型 LED 恒流驱动器 概述 OC5151 是一款高效率、高精度的降压型大功率 LED 恒流驱动控制芯片。 OC5151 采用固定频率的平均电流控制方式,具有优异的负载调整率和线性调整率。 OC5151 通过调节外置的电流采样电阻,能控制高亮度 LED 灯的驱动电流,使LED 灯亮度达到预期恒定亮度。OC5151 支持线性调光,可通过 LD 端进行调光。LD 脚电压小于 0.4V,输出关闭,LD 脚电压大于 2.5V 则输出全亮。 OC5151 集成电高低亮功能,可通过HL 脚选择高亮或低亮工
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0明佳达电子、星际金华 全新原装供应及回收Lattice CrossLink-NX™系列低功耗 FPGA(LIFCL-40-8BG400C、LIFCL-40-8BG256C、LIFCL-40-9MG121C)。 Lattice CrossLink-NX LIFCL-40 系列 FPGA 产品描述详情 LIFCL-40 系列是莱迪思(Lattice)基于 28nm FD-SOI Nexus 平台 的低功耗嵌入式视觉 FPGA,核心用于视觉桥接、传感器聚合、边缘 AI 推理与高速接口应用。三款型号共享 39K 逻辑单元、1.548Mb 块 RAM、56 个 18×18 乘法器,差异在封装、I/O、速度等级与温度级。 1. LIFCL-40-8BG400C LIFCL-40:CrossLink-NX 40K
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0明佳达,星际金华供应 ADBMS6830MWCSWZ 电池监测器,UCC3895N全桥控制器 ADBMS6830MWCSWZ 16通道多节电池监测器 产品描述 ADBMS6830MWCSWZ是一款多单元电池组监控器,可测量多达16个串联电池单元,在全温度范围内,使用寿命总测量误差(TME)小于2 mV。器件的测量输入范围为−2 V至+5.5 V,适合大多数电池化学应用,并可测量母线上的电压。为绕过母线而不指定任何测量通道做出了规定。 特征 可测量多达16节串联电芯的电压 最大使用寿命TME:±1.8 mV(每节电池单元3.3 V
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088Q2220MB1-NYA2A0G1是由(Marvell)开发的汽车千兆以太网物理层收发器(PHY),属于该公司第三代Brightlane™以太网PHY产品家族。该器件专为满足现代汽车电子电气架构对高速、安全、可靠及低功耗网络连接的需求而设计。 其特点包括: 高速以太网连接:88Q2220MB1-NYA2A0G1是一款单对以太网PHY,支持通过非屏蔽双绞线(UTP)运行。它实现了IEEE 802.3bp标准定义的1000BASE-T1(千兆)以及IEEE 802.3bw标准定义的100BASE-T1(百兆)以太网物理层功能,是一款引脚兼容的双速
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3OC58652 内置 60V/6A MOS 降压型 DC-DC 概述 OC58652 是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC,最高输入电压 60V。OC58652具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率和负载调整率等特性。支持大电流输出,输出电流可达 2.5A以上。 OC58652 通过设置FB引脚的分压电阻可设置输出恒压值。OC58652 采用固定频率的PWM控制方式,典型开关频率为 150KHz。轻载时会进入跳周期模式以获得高转换效率。 OC58652 内部集成软启动以及过温保护电路,输出短路保护,限
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1全志MR系列机器人AI芯片介绍 1. MR527(八核高性能机器人专用芯片) MR527系列芯片集成了8核Arm® Cortex®-A55 CPU、NPU、Mali™-GPU、MCU等多个高性能计算单元,具有强大的硬件编码能力和丰富的传感器接口,支持GPIO、PCIe、SDIO、USB、SPI、TWI、UART、GPADC、LRADC、PWM等常用接口。适用于扫地机、割草机、服务机器人、四足机器人等产品形态。 产品特点 集成8核Arm Cortex-A55 CPU、GPU、NPU、MCU 支持最高4K@25fps编码,可实现多路摄像头输入 支持GPIO、PCIe、SDIO、USB、SPI、TWI
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0PL5500是一款同步式4切换双向Buck-Boost控制器,能够对输出电压进行调节,使其高于或低于输入电压。PL5500可在宽泛的输入电压范围内(3.6V至32V,最大值为36V)运行,以支持多种应用。PL5500可在电器模式下为1、2、3、4、5和6节电池充电 PL5500在降压、升压和降压-升压工作模式下均采用恒定开启时间控制,以实现卓越的负载和线路调节性能。开关频率可根据FREQ引脚与GND引脚之间电阻值的不同而设定为150kHz、300kHz、600kHz或1200kHz。该器件还具备可编程的软启动功
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0【明佳达电子、星际金华】三款高性能MOSFET产品——ISC040N10NM7、ISC007N06NM6、ISC009N06NM6,涵盖工业控制、电源管理、电机驱动等多领域应用需求。 【供应、回收】 ISC040N10NM7、ISC007N06NM6、ISC009N06NM6 均为N沟道增强型功率MOSFET,分别归属OptiMOS™ 7与OptiMOS™ 6经典系列,凭借低导通电阻、快速开关、高耐流、宽温工作等特性,精准覆盖中低压功率开关、同步整流、电机驱动等多元场景。 【参数信息详情】 1. ISC040N10NM7(OptiMOS™ 7系列 100V N沟道MOSFET) - 核心参
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0ADM2582EBRWZ 2500 Vrms 隔离式 RS-485 收发器 SOIC-20 ADM2582EBRWZ 是一款集信号与电源隔离于一体的数据收发器,具备 ±15 kV 静电放电 (ESD) 保护功能,专为多点传输线上的高速通信而设计。该器件内置隔离式直流-直流电源,无需外部直流-直流隔离模块。 特点 隔离式 RS-485/RS-422 收发器,可配置为半双工或全双工模式 集成 isoPower® 隔离式 DC-DC 转换器 RS-485 输入/输出引脚具备 ±15 kV ESD 保护 符合 ANSI/TIA/EIA-485-A-98 和 ISO 8482:1987(E) 标准 数据速率:16 Mbps 5 V 或 3.3 V 工作
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0明佳达,星际金华供应 AD8398AACPZ线路驱动器,STM32G474RET6微控制器 AD8398AACPZ 单端口VDSL2线路驱动器(带关断功能) AD8398AACPZ内置两颗高速电压反馈运算放大器,是ADSL2+、VDSL2及电力线通信应用的理想差分线路驱动器。该集成电路提供高输出电流、卓越带宽、快速压摆率,并具备出色的多音功率比性能与共模稳定性。采用4mm×4mm增强散热型16引脚LFCSP封装。 通过两个CMOS兼容控制引脚(PD0和PD1)实现先进电源管理功能,支持四种工作模式选择:全功率、中功
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0以下是 MCIMX6Y2DVM09AB、MIMXRT1062CVL5B、STM32L031G6U6 三款芯片的详细规格参数: MCIMX6Y2DVM09AB (NXP i.MX 6ULL 应用处理器) 内核:ARM Cortex‑A7 单核,主频 900MHz,集成 NEON 多媒体协处理器 缓存:L1 I‑Cache 32KB,L1 D‑Cache 32KB;L2 Cache 128KB 存储:无内置 Flash;支持外部 LPDDR2/DDR3/DDR3L 内存 封装:MAPBGA‑289 (14×14mm,0.8mm 间距) 供电:内核 1.375V‑1.5V;I/O 1.8V/2.8V/3.3V 工作温度:0°C ~ +95°C (TJ) 显示:并行 LCD 控制器,最高支持 WXGA (1366×768);8/10/16/24 位并行 CSI 摄像头接口 通
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0AWMF-0221 24GHz至30GHz双极化四通道波束成形器 产品概述 AWMF-0221是一款高度集成的硅射频波束成形集成电路(BFIC),基于我们成熟的四通道双极化CMOS平台打造。该模块化架构在多个终端用户应用中提供业界领先的天线性能,具备基准级线性射频功率与直流功耗效率,可无缝支持更高信号带宽和调制方式。每颗BFIC均集成符合所有3GPP标准的波束转向控制功能。双极化半双工工作模式可实现单天线孔径覆盖每个扇区。 核心特性 第四代IC系列 24.25至29.5 GHz工作
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0ISC007N06LM6 60V 440A OptiMOS™ 6 功率晶体管 ISC007N06LM6是一款60V、440A OptiMOS™ 6功率晶体管,具有低导通电阻(Rds(on) ≤ 0.75 mΩ @ Vgs=10V)、440A高电流能力以及卓越的散热性能。专为48V/60V系统中的高频硬开关与大电流应用优化,适用于电机驱动、大功率DC-DC转换器及功率模块。 特性 高性能硅技术 软开关优化 标准门极驱动 175°C额定温度 工业级认证 专为高性能开关电源优化 同步整流优化 N沟道,逻辑电平 极低导通电阻RDS(on) 卓越热阻性能 100%雪崩测试 应用领
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0AWS-0102 K波段四通道4x2接收波束成形器(卫星通信专用) 产品概述 AWS-0102是一款高度集成的硅基四核集成电路,专为卫星通信应用设计。该先进模块支持四个双极化辐射单元,具备完全可编程的极化灵活性,并具有温度增益补偿及温度监测功能。 技术规格 极化方式:双极化 工作频段:17.7GHz至20.2GHz 目标应用:卫星通信 封装类型:QFN 类型:K波段四通道4x2接收波束成形器IC 核心特性 17.7至20.2 GHz工作频段 支持4个双极化辐射单元 灵活极化模式(右旋圆极
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0明佳达,星际金华 供应 LP8863ADCPRQ1背光驱动器/MCU芯片STM32L433VCT6/STM32G474RCT3 LP8863ADCPRQ1 高效汽车LED背光驱动器 产品概述 LP8863ADCPRQ1是一款具备升压控制器的汽车级高效LED驱动器。其六路高精度电流源支持相位偏移功能,可根据实际使用通道数自动调节。电流源亮度可通过SPI或I2C接口进行独立或整体控制,并支持通过PWM输入实现额外的整体亮度调节。 特性 符合汽车应用认证标准(AEC-Q100) 器件温度等级1:-40°C至+125°C工作环境温度 输入电压工作范围3V至4
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0以下是 CY8C4147AZS-S455、NEO-F10N-00B-20、AWS-0102 三款器件的核心参数详情,覆盖 MCU、双频 GNSS、K 波段波束成形器三大品类,适配工业控制、车载定位、卫星通信等场景。 一、CY8C4147AZS-S455(Infineon PSoC 4100S Plus 汽车级 MCU) 核心规格 核心:Arm® Cortex®‑M0+,48 MHz,带 FPU 存储器——Flash:128 KB;SRAM:16 KB 无线:无(需外接射频模块) 安全:AEC‑Q100 Grade 1,硬件加密,安全启动 供电:1.8–5.5 V(内部稳压器) 工作温度:‑40 °C 至 +125 °C 封装:64‑TQFP(10×10 mm
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0IQFH86N06NM5 高性能 OptiMOS™ 5 N沟道功率MOSFET晶体管 IQFH86N06NM5 60V常压功率MOSFET采用创新紧凑的夹式PQFN 8x6 mm²封装,专为大电流和高功率应用设计。该器件具备0.68毫欧的超低导通电阻(RDS(on)),结合卓越的散热性能,可为电池供电应用、电池管理系统、低压驱动器及开关电源(SMPS)提供更优异的系统效率与功率密度。 特性 尖端OptiMOS™硅技术 卓越的性能指标(FOMs) 高芯片/封装比 优化引线框架与铜夹设计 内部连接的Q1/Q2 MOSFET 紧凑简化的布局设计 双面
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1明佳达电子,星际金华 供应 存储芯片KLM4G1FETE-B041,复杂可编程逻辑器件5M570ZM100C5N KLM4G1FETE-B04 4GB eMMC 5.1 移动存储芯片 KLM4G1FETE-B041是一款eMMC 5.1移动存储芯片,具备4GB容量、HS400接口、1.8/3.3V工作电压及-25至85°C工作温度范围。该芯片提供卓越的能效表现与显著提升的运行速度,是开发超薄移动设备时的理想闪存解决方案。 特性 兼容嵌入式多媒体卡(MultiMediaCard)5.1版规范 支持JEDEC标准定义的eMMC5.1特性 主要支持特性:HS400、现场固件更新、缓存、命令
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1RK3588M 8纳米工艺低功耗AIoT处理器 产品描述 RK3588M是一款采用8纳米工艺技术制造的高端车规级处理器芯片。其采用八核CPU架构,包含四颗Cortex-A76核心与四颗Cortex-A55核心,集成Mali-G610 GPU及专属NPU,提供6TOPS运算能力。该芯片支持8K视频编解码、原生七屏独立显示及多摄像头输入,搭载QNX Hypervisor虚拟化技术并通过汽车级认证。 应用场景 通过多模态融合感知技术,RK3588M可实现车内车外视觉场景的智能识别,涵盖前车检测、实时交通标志解读、视线追踪等
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0SIF7010 低功耗3D直接飞行时间成像传感器 产品描述 SIF7010是一款3D直接飞行时间(ToF)成像传感器。 该传感器采用业界领先的3D堆叠技术,具备紧凑尺寸、低成本及超低功耗特性。可实现卓越的全场景自动对焦、背景虚化人像模式、电影模式等成像功能,同时支持场景建模及类似海图的AR/VR应用。 在dToF传感器中,SPAD像素作为探测器,通过测量光源发射的光线经物体反射后返回传感器的飞行时间获取距离信息。SIF7010集成了专有高PDP SPAD成像阵列、高性能T
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0【明佳达电子、星际金华】三款热门芯片——W25N01GVZEIG、MT7629BA、MT41K128M16JT-125 IT:K,覆盖存储、通信、嵌入式等多领域核心需求。 【供应、回收】 W25N01GVZEIG——高性能1Gb(128MB)串行SLC NAND闪存存储器 MT7629BA——3×3 双频段双并发 DBDC Wi-Fi LTE 路由器 MT41K128M16JT-125 IT:K——2Gbit 高性能DDR3L SDRAM内存芯片,采用128M×16bit架构 【参数信息详情】 W25N01GVZEIG:华邦高性能串行NAND Flash,兼顾稳定与高效 W25N01GVZEIG是华邦电子推出的一款高性能1Gb(128MB)Serial SLC NAND Fl
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0星际金华,明佳达 供应 IGBT模块FF1400R12IP4,数字微镜器件DLPC3478CZEZ,模数转换器LEOAD128P-D FF1400R12IP4 1200V 1400A 半桥双IGBT模块 产品概述 FF1400R12IP4是一款采用PrimePACK™ 3封装的1200V、1400A半桥双IGBT模块,集成了TRENCHSTOP™ IGBT4技术、发射极控制型4二极管、NTC温度传感器及软开关芯片。另可选配导热界面材料以提升散热性能。 特性 高直流稳定性与电流密度 卓越的坚固性与可靠性 正温度系数VCE sat 低VCE sat提升效率 4kV交流1分钟绝缘等级 CTI>400封装 大爬电距
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0IDD08SG60C 600V 8A CoolSiC™ 肖特基二极管 TO-252-3 产品概述 IDD08SG60C是一款600V CoolSiC™肖特基二极管,在相同电流等级下具备业界最低器件电容。该先进技术可显著提升系统整体效率,尤其在高频开关及低负载工况下表现突出。第三代产品在第二代成熟技术平台基础上,引入封装级扩散焊接工艺实现性能升级。 特性 革命性半导体材料——碳化硅 基准级开关特性 无反向恢复/无正向恢复 温度无关的开关行为 高浪涌电流能力 无铅镀层;符合RoHS标准 通过JEDEC认
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0MA782GGU 3V至3.6V SPI输出霍尔效应位置传感器 QFN14封装 MA782GGU是一款高性能霍尔效应位置传感器IC,具备SPI输出接口,工作电压范围为3V至3.6V,采用紧凑型QFN14封装设计。 特性 8位至12位分辨率绝对式非接触角度编码器 空闲模式下电流消耗 <0.5µA 10mA 激活模式下的电流消耗 角度检测中断唤醒系统 磁场强度报警 支持轴上和轴下操作 串行外设接口 (SPI) 3.3V 电源 工作温度 -40°C 至 +125°C 采用 QFN-14(2 毫米 x 2 毫米)封装 应用 便携式设备 平板电脑折叠显示屏
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0T736MX-HN3 高性能 2GHz 八核工业级 AI SoC 芯片,具备先进处理能力,专为工业应用设计。 产品概述 T736MX-HN3集成了双核Arm® Cortex®-A76与六核Arm Cortex-A55 CPU,搭载Imagination PowerVR BXM-4-64 MC1 GPU、3Tops NPU及全面的内存存储支持。这款工业AI SoC芯片可为智能座舱、工业计算机、边缘计算及机器人等高要求应用提供高性能计算支持。 规格参数 CPU:双核Arm Cortex-A76 + 六核Arm Cortex-A55,最高2.0GHz MCU:RISC-V玄铁E902 GPU:Imagination PowerVR BXM-4-64 MC1 NPU:3 Tops 内存:支持32位2通
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0LMZ20501SILR 2.7V至5.5V 1A高密度纳米模块稳压器 LMZ20501SILR纳米模块稳压器是一款易于使用的同步降压DC/DC转换器,可在最高5.5V输入电压下驱动高达1A的负载电流。这款紧凑型解决方案在极小尺寸下实现卓越效率与输出精度。创新封装将稳压器与电感集成于3.5mm×3.5mm×1.75mm的微型体积内,既节省宝贵电路板空间,又免去了外部电感选型带来的复杂性和成本。仅需五颗外部元件配合优化的引脚布局,LMZ20501SILR可实现简洁高效的PCB布线。 特性 集成电感器节省空
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0SA220智能车载录像专用AI集成芯片 SA220 AI芯片集成了自主研发的NPU,具备0.5 TOPS人工智能运算能力及5M@30fps图像信号处理器,可实现高清行车录像功能。该先进处理器支持前车驶离预警、行人碰撞预警等AI算法,是提升行车安全的智能车载录像产品的理想选择。 规格参数 CPU:单核处理器 NPU:0.5 TOPS 存储:内置1Gb DDR3L SPI NOR/SPI NAND/eMMC SD2.0 摄像头:DVP或MIPI-CSI2双通道视频输入 图像处理器:5MP@30fps,支持2F-WDR与3DNR降噪 视频编解码:H.264/H.265 2K@30fps + 1080P@30fp
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0PTQ45P02 20V P沟道先进功率MOSFET晶体管 PTQ45P02是一款专为高性能电源管理应用设计的20V/45A P沟道先进功率MOSFET晶体管。 规格参数 晶体管类型 MOSFET 控制沟道类型 P沟道 Pd - 最大功耗 35 W Vds - 最大漏源电压 20 V Vgs - 最大栅源电压 12 V Id - 最大漏极电流 45 A Tj - 最大结温 150 °C Vgs(th) - 最大栅极阈值电压 1 V Qg - 总栅极电荷 55 nC tr - 上升时间42 nS Coss - 输出电容 577 pF 关键特性 P沟道先进功率MOSFET 1.8V逻辑电平控制 PDFN3333表面贴装封装 应用领域 高侧负载开关、电池
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0STM32L071CZT6 超低功耗单核嵌入式微控制器 产品描述 该超低功耗STM32L071CZT6系列微控制器集成了高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC内核(运行频率32 MHz)、内存保护单元(MPU)、高速嵌入式存储器 (最高192KB闪存程序存储器、6KB数据EEPROM及20KB RAM),并配备丰富增强型I/O接口及外设。 STM32L071CZT6器件通过多样化的内部/外部时钟源选择、内部电压自适应技术及多种低功耗模式,实现广泛性能范围下的高能效表现。 STM32L071CZT6器件提供多种模拟功能:1个带硬件过采样
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0【明佳达,星际金华】 存储器GD25Q128EYIG/晶体管QN3120M3N/放大器TP2274-SR GD25Q128EYIG 128Mbit 133MHz 四通道串行闪存NOR存储器 产品概述 GD25Q128EYIG(128Mbit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)、双SPI及四通道SPI配置。该IC配备串行时钟、芯片选通及串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#),可实现266Mbit/s的双I/O数据传输速率和532Mbit/s的四I/O数据传输速率。 特性 提供1.8V、2.5V、3.0V及宽电压范围版本 支持单通道、双通道及四通道I/O SPI模式 1.65
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0【明佳达电子、星际金华】三款端侧视觉AI SoC芯片——SA206、SH516、SH518。 【供应/回收】 SA206:端侧视觉AI SoC芯片,双核处理器,BGA-385 SH516:AI芯片——端侧视觉AI SoC芯片,0.6 TOPS单核处理器 SH518:1.0 TOPS,端侧视觉AI SoC芯片,单核处理器,QFN-128 【供应】原装芯片,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准! 【回收】只需原装芯片,须有原厂外包装标签。 【参数信息】 SA206:端侧视觉AI SoC芯片,双核处理器,BGA-385 概述:SA206 集成自研NPU,提供0.6 /
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0TJA1042TK 带待机模式的高速CAN收发器 TJA1042TK高速CAN收发器在控制器局域网(CAN)协议控制器与物理双线CAN总线之间提供接口。该收发器专为汽车行业的高速CAN应用设计,为配备CAN协议控制器的微控制器提供差分传输和接收功能。 特性 通用特性 完全符合ISO 11898-2:2016、SAE J2284-1至SAE J2284-5及SAE J1939-14标准 在CAN FD快速阶段保证高达5 Mbit/s的数据速率时序 适用于12 V和24 V系统 低电磁发射(EME)与高电磁抗扰度(EMI) 带VIO引脚型号可直接对接3.3V至5V微控制器 TJA1042B/C
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0定位导航芯片M8030-KT IST8310接地磁传感器 PAC5223QM控制器——明佳达 M8030-KT是一款定位导航芯片,其核心优势在于其卓越的稳定性和低功耗特性,适用于工业自动化、智能交通、无人机导航等多种场景。 IST8310地磁传感器采用低温度漂移与高动态范围设计,动态范围±2500μT,线性度1%,适用于无人机和eVTOL的精准导航,在极端环境下仍能保持稳定性能。IST8310基于磁阻效应(AMR)或各向异性磁阻效应(GMR)工作,通过检测磁场变化引起的电阻变化,将磁场信
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0NCEP40T20AGU——40V,N通道超级沟槽功率MOSFET晶体管,DFN5X6-8L BQ9003RSMR——电池管理芯片,电池监控和均衡IC,VQFN-32 SPD1178API——系统级芯片(SoC),配备双三相预驱动器,QFN64 ——明佳达 NCEP40T20AGU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)与Qg的组合值极低,导通损耗与开关损耗均被最小化。该器件是高频开关与同步整流的理想选择。 BQ9003RSMR主要用于电池管理应用, 具体功能包括电池状态监测、充电管理或保护
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0TP5532-VR 1.8V 42μA RRIO 零漂移运算放大器 产品描述 TP5532-VR系列为低功耗斩波稳压运算放大器,可校正输入偏置电压,实现低偏置及随时间与温度变化的偏置漂移。该系列采用单电源供电,最低工作电压仅1.8V,每路放大器静态电流仅42μA,增益带宽积达350kHz。 特性 • 低偏置电压:10μV(最大值) • 零漂移:0.008μV/℃ • 0.1Hz至10Hz噪声:1.1μV峰峰值 • 低供电电流:每运算放大器42μA • 带宽:350kHz • 压摆率:0.16 V/μs • 高增益,130 dB高共模抑制比(CMRR
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0ADM3485EARZ是一款3.3 V、低功耗、RS-485/RS-422收发器(半双工、10 Mbps、驱动器/接收器使能)。ADM3485EARZ的传输速率最高可达10 Mbps。接收器输入阻抗为12 kΩ,允许多达32个收发器连接至总线。热关断电路可防止总线竞争或输出短路导致功耗过大。故障条件下,如果检测到内部驱动器电路的温度显著升高,热关断电路将强制驱动器输出进入高阻抗状态。如果输入未连接(浮地),接收器所具有的故障安全特性将使输出保持逻辑高状态。这些器件的额定温度范围