维安(WAYON)，是一家专注于电路保护与功率控制解决方案的提供商，主要从事电路保护元器件、功率半导体分立器件与模拟集成电路的设计、制造及销售。 公司于1996年由上海材料研究所创建，二十多年来，维安始终致力于成为电路保护与功率控制领域的全球领先品牌，持续推出新产品和新方案，为消费类电子、工业与物联网、汽车、新能源、网络通信等领域提供产品及服务，使全球客户的产品更安全、可靠、高效。

【明佳达电子、星际金华】长期供应：[晶体管] IPLK60R360PFD7、BSC097N06NS、NCEP40PT15G。 IPLK60R360PFD7：600V，CoolMOS™ PFD7 超结MOSFET晶体管，PG-TDSON-8 系列：CoolMOS™ PFD7 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12.7 nC @ 10 V Vgs（

产品名称：MOS管 SL53N10Q 生产商：萨科微Slkor 产品类型：N沟道 电性能参数： 漏源电压（Vdss）： 100V 连续漏极电流（Id）： 53A 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 8mΩ @ 10V, 20A 阈值电压（Vgs(th)@Id）： 3V @ 250uA 封装规格： 封装类型： PDFN(5x6)

明佳达电子、星际金华长期供应原装芯片：[MOS管] IPA50R500CE 和 IPD50R3K0CE 和 IRF100P219。 IPA50R500CE / IPD50R3K0CE——500V，CoolMOS™ CE系列 N通道功率MOSFET晶体管 IRF100P219：100V，StrongIRFET™ 单N通道功率 MOSFET晶体管 供应原装器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！ 【参数详情】 IPA50R500CE：500V，CoolMOS™ CE系列 N通道功率MOSFET晶体管，TO-220-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc） 驱动电

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我看了半个小时，翻来覆去看（实物），应该是这型号吧，到处都找不到相关资料，哪位大神有线索望指点迷津，感谢！

晶导 SMF36CA 是一款双向瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于电路的过电压保护。 采用 SOD-123FL 封装，尺寸为 2.90mm×1.90mm，高度 1.10mm，属于表面贴装器件（SMT）。 电气参数：反向截止电压（Vrwm）为 36V，击穿电压（Vbr）最小值为 40V，最大值为 44.2V，钳位电压（Vc）最大值为 58.1V。在 10/1000us 的脉冲波形下，峰值脉冲电流（Ipp）为 3.4A，峰值脉冲功率（Ppp）为 200W，反向漏电流（IR）为 1μA。 工作温度范围：工作温度为 - 55℃~+150℃，能在较宽的温度环境

适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 薄型封装 玻璃钝化结 低电感 塑料封装符合美国保险商实验室（UL）的可燃性标准

摘要： S ABS210A是一款适用于电路保护的整流桥，具备1000V的最大重复峰值反向电压和2A的最大平均正向整流电流。其主要特点包括玻璃钝化结、低成本结构、高温焊接兼容性和高浪涌电流能力。尺寸小巧，易于安装，且符合无铅标准。

明佳达电子、星际金华【供应】原装芯片——IKW50N65ES5（IGBT晶体管）、IMZA120R014M1H（MOSFET晶体管）IPW60R099P6。 IKW50N65ES5：650V、50A、TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT晶体管，PG-TO247-3 规格参数： 系列：TRENCHSTOP™ IGBT 类型：沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值：274 W 开关能量：1.23mJ（导通），550µJ（关断） 栅极电荷：120 nC 25°C 时 Td（开/关

GT30J122：分立式IGBT——硅 N通道 IGBT 晶体管，TO-3P(N) 集电极-发射极电压：600V 集电极电流（DC）： 30A 集电极功率耗散（Tc = 25℃）：120W 工作温度：-55℃至 150℃ 封装：TO-3P(N) 15.5×20.0×4.5mm 高速开关：tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 50 A) 低饱和电压：VCE(sat) = 1.7 V (typ.) (IC = 50 A) 【明佳达电子、星际金华】现货供应原装芯片——GT30J122分立式IGBT，CS19-12HO1【可控硅】晶闸管SCR。 CS19-12HO1【可控硅】晶闸管SCR，1.2kV/29A，TO-220-3 电压 - 断态：1.2 kV 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大

IRLR8743TRPBF：30V，StrongIRFET ™功率 MOSFET 晶体管，采用 DPAK 封装 核心参数： 漏源电压：30V 连续漏极电流：160A（Tc） 导通电阻：3.1 毫欧 封装：TO-252-3（DPAK） 功率耗散（最大值）：135W（Tc） 工作温度范围：-55℃~175℃ 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：59 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4880 pF @ 15 V 星际金华、明佳达电子长期供应——原装芯片IRLR8743TRPBF功率MOSFET晶体管，IKW75N65ET7（IGBT分立器件）。

55n06能用英飞凌irf3710pbf替换吗？感谢大神们！

深圳大东微电子代理的晶导微桥SABS10-12是晶导原厂2025年新推的料号，与老型号ABS10是同一颗桥堆物料。 桥堆（Bridge Rectifier）是一种电子元件，用于将交流电转换为直流电。它通常由四个二极管以特定的方式组成。桥堆广泛应用于各种电子设备中，如电源适配器、充电器、电机控制器等。 SABS10-12, 工作电压100-1000V，电流为1..2A。SMA封装。

大东微电子2531285426qq代理的晶导微的肖特基管子SS310E跟SS310是同一个型号，SS310E是2025年晶导原厂的新型号，E后缀说明内部芯片大小是50mil。 SS310E是一种常见的二极管型号，通常被用于整流和电压调节等电路中。它是一种高效的快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)， 具有以下主要参数: 1，最大正向电压（VRRM)通常为100V。 2，平均整流电流(I0(AV))通常为3A。 3，最大反向峰值电流(IFRM)通常为50A。 4，正向压(VF)降通常为1V左右 5，反向恢复时间(trr)通常为150ns左右

大东微电子2531285426qq代理的晶导微SABS210A跟ASB210是同颗物料，是一款适用于电路保护的整流桥，具备1000V的最大重复峰值反向电压和2A的最大平均正向整流电流。其主要特点包括玻璃钝化结、低成本结构、高温焊接兼容性和高浪涌电流能力。 ABS210详细参数: 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效电压(VRMS):700V 最大隔直电压(VDC):1000V 最大平均正向整流电流(IF(AV)):2A 峰值正向浪涌电流(IFSM):60A 最大瞬时正向电压(VF):1.1V 额定直流阻断电压下的最大直流反向

[现货库存] 星际金华、明佳达——供应原装IC：BSB056N10NN3G（MOSFET 晶体管）IPD088N06N3G，IDH20G65C6（CoolSiC™ 肖特基二极管）。 BSB056N10NN3G：100V、OptiMOS ™功率 MOSFET 晶体管，MG-WDSON-5 系列：OptiMOS™ FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），83A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100µA 不同 Vgs

【星际金华、明佳达】长期供应原装IC：IGBT晶体管——STGB10NB37LZT4、STGB30M65DF2、STGWA50H65DFB2。 STGB10NB37LZT4：440V、20A、PowerMESH™ IGBT晶体管，TO-263-3 系列：PowerMESH™ 电压 - 集射极击穿（最大值）：440 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值：125 W 开关能量：2.4mJ（导通），5mJ（关断） 输入类型：标准 栅极电荷：28 nC 25°C 时 Td（开/关）值：1.3µs/8µs 测试条件：328V，10A，1

晶导微MB10L-10，一款卓越的MBL桥式整流器，犹如电子世界中的优雅桥梁，静静伫立在电路的洪流之中。MB10L，以其1000V的高压承受力与1A的稳健电流处理能力，展现出了非凡的整流才华。那小巧的贴片整流桥堆，仿佛精密雕琢的艺术品，不仅承载着电流的高效转换，更在方寸之间，演绎着科技与美学的完美融合。它，是电子工程师手中不可或缺的魔法道具，将交流电的混沌，巧妙地转化为直流电的秩序，为电子设备的稳定运行，铺设了一条坚实的能量之

闲来无事，手贱拆了十五块买的车载逆变器，发现两个mos管巨烫，还没有散热片，我怕管子把自己热死，想问问能不能把管拆下来用导热双面胶粘到外壳上，把引脚用导线接在电路板上可不可行

（供求芯片）星际金华、明佳达——长期供应及回收原装库存器件： 【供应/回收】MOS——IRFB3006PBF、IPA60R199CP、IRFB3306GPBF（功率 MOSFET 晶体管）。 IRFB3006PBF：60V，HEXFET® N通道功率 MOSFET 晶体管，TO-220-3 系列：HEXFET® FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

型号：NVTFS4823NTWG 封装：WDFN-8 类型：功率 MOSFET 晶体管 概述：NVTFS4823NTWG——30V，13A，单N通道功率 MOSFET 晶体管，FN-8 产品信息： Vds-漏源极击穿电压：30 V Id-连续漏极电流：30 A Pd-功率耗散：21 W 最大工作温度：175 ℃ Rds On-漏源导通电阻：10.5 mOhms 占用空间小（3.3x3.3 毫米），设计紧凑 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低 低电容，将驱动器损耗降至最低 【星际金华、明佳达】长期供应及回收原装库存器件： 【供应/收购】功率 MOSFET 晶体管——NVTFS4823NTWG / ST

MOS管的品质直接影响到音响功放电路设计的效果，而其中可靠性、稳定性是对于音响功放设计最看重的要求效果之一。因此对于电路研发工程师，如何选择好的、能代换IRFP4310PBF型号参数用于音响功放中是非常重要

同步整流电路作为现代高效电源设计的核心，在选择MOS管的效率性能以及可靠性都有严格的要求。在工程师进行电路设计时，究竟如何选择对的MOS管来代换IRF3710型号参数呢

MOS管在DC-AC逆变器中承担高频开关与功率转换核心功能，其开关速度、导通损耗、耐压能力及热稳定性直接决定逆变效率。IRF3710虽为经典型号，但国产化方案FHP70N11V凭借更优参数与工艺，可显著提升车载逆变性能并保障供应链安全。

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型号：IRF1310NPBF 封装：TO-220-3 类型：HEXFET®功率MOSFET晶体管 概述：IRF1310NPBF是一款100V，42A，HEXFET®N通道功率MOSFET晶体管。 产品图： 规格参数： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不

MOS管（场效应管）库存呆料的处置方式可以有以下几种： 重新评估与技术审查： 对库存中的MOS管进行全面评估，包括库存数量、规格、性能及市场需求等4。 进行技术审查，依据性能、质量与技术规格对MOS管进行分级，确定哪些可以用于新产品或哪些只能降级使用4。 设计与开发新产品： 尝试将呆料用于新产品的设计中，针对特定项目或产品线，利用现有库存中的MOS管，以降低新产品的研发成本4。 市场销售与交易： 利用电子交易平台或其他销售渠

MOS管在DC-DC转换器中承担核心开关功能，其导通损耗、开关速度及热稳定性直接影响转换效率与系统可靠性。IRF3710虽为经典型号，但国产化替代方案FHP70N11V凭借更优参数与工艺，可显著提升电源性能并保障供应链稳定

步进电机驱动器的核心需求是精准的电流控制与高效的功率切换。飞虹半导体推出的FHP70N11V型号MOS管因其大电流能力、快速开关特性与低导通损耗，成为可替代IRF3710的选择。

放大音频信号是MOS管在音响功放的主要作用，意味着好的MOS管能够直接影响产品的品质。对于电路研发工程师，如何选择好的、能代换IRF3710型号参数用于音响功放中是非常重要的

IPC100N04S5-2R8： 40V，OptiMOS™-5 汽车 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8 型号：IPC100N04S5-2R8 封装：PG-TDSON-8 类型：汽车 MOSFET 晶体管 IPC100N04S5-2R8——产品属性： 系列：OptiMOS™ FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V Vgs

一、器件结构与分类 MOSFET作为现代半导体器件的核心元件，其结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底构成三级体系。根据导电沟道类型可分为两大类： 1.NMOS晶体管：采用P型基底半导体，通过正栅压诱导形成N型导电沟道，主要载流子为电子 2.PMOS晶体管：基于N型基底半导体，通过负栅压形成P型导电沟道，主要载流子为空穴 二、工作原理深度解析 该器件的核心机理在于栅压调控的场效应作用： 1.绝缘栅结构形成电容效应，当栅极施加电压时，在

STW58N60DM2AG：600V，50A，MDmesh™ DM2 汽车级N通道功率MOSFET晶体管 型号：STW58N60DM2AG 封装：TO-247-3 类型：功率MOSFET晶体管 STW58N60DM2AG——产品属性： 系列：MDmesh™ DM2 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V Vgs（最

在电子时代的持续发展进程中，金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，即 MOS 管，凭借独特结构和优良性能，在现代电子技术领域占据重要地位。作为电子领域关键的半导体器件，它广泛应用于各类电子产品，推动了行业的发展。 一、种类丰富：MOS 管的两大阵营 1. PMOS（P 型 MOS 管） PMOS 管的栅极采用 P 型半导体材料制成，其电流传导依靠空穴。在一些需要负电源供电的电路设计中，PMOS 管凭借自身载流特性，可完成电路的开关控制任务。 2. NMOS（N 型 M

据最新数据显示，2025年全球个人智能音频市场将进一步增长，对比2024年的4.94亿台预计增长8%左右，出货量增长至5.33亿台。这一市场增长，意味着音响电源市场必然会同步增长。如何选对的MOS管来提升自身音响电源的产品力

STF22NM60N——600V、16A MDmesh™ II N 沟道功率 MOSFET 晶体管 描述：STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。 STF22NM60N——产品属性： 系列：MDmesh™ II FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：220 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 1

在低压工频逆变器设计中，MOS管的选型直接影响系统效率与可靠性。

STW14NK50Z：500V，14A，有齐纳管保护的SuperMESH™ 功率MOSFET晶体管 型号：STW14NK50Z 封装：TO-247-3 类型：功率MOSFET晶体管 STW14NK50Z——产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：92 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±30V 不同 Vds

1月13日晚，美国政府再次针对芯片等先进领域进行限制，说明全球化的时代在不断收窄。企业必须要考虑如何将关键的生产器件放在安全且能用得放心的产品上。尤其国内企业现阶段面临产品出海就更加需要注意，车载逆变器作为其中重要出口产品该如何选用好的国产MOS管来应用呢？

马上就要过年了，期待。

MOS管在户外储能电源里通常扮演功率开关的作用，它是确保整个产品系统高效运行和长久稳定的重要一环。尤其是在逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路上使用，它充当高频开关操作，实现直流电与交流电之间的转换，提升系统效率。

哪位大佬知道这个mos管模块怎么用啊，我按照他这样接信号端的地和pwm线会发烫像短路了一样。还好我的单片机没烧。

MOSFET是逆变模块中不可或缺的核心元件。它能直接影响逆变器的效率、响应速度、热管理和整体可靠性。因此对于逆变模块的MOS管选型使用就显得尤为重要