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0原装现货供应 ST:VND7E040AJTR 和 VND3NV04TR 产品描述 1. VND7E040AJTR(PowerSSO-16) VND7E040AJTR 是一款采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造的双通道高侧驱动器,封装于 PowerSSO-16 封装中。该器件通过 3V 和 5V CMOS 兼容接口驱动 12V 汽车接地负载,同时提供保护功能,适用于汽车电子系统中的负载驱动。 2. VND3NV04TR(TO-252-3) VND3NV04TR 是一款高性能 N 通道电源开关/驱动器,属于 OMNIFET II 系列。该产品设计用于需要高电流处理能力的应用场景,具备低导通电阻和高可靠性
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0LT8610EMSE:42V/2.5A同步降压稳压器产品概述 LT8610EMSE 是 ADI推出的 高效同步降压稳压器,采用 MSOP-16封装,集成 上下功率MOSFET,支持 3.4V~42V宽输入电压,输出电流高达 2.5A,静态电流仅 2.5μA,适用于 汽车电子、工业电源、通信设备 等领域。 LT8610EMSE产品属性: 封装 / 箱体: MSOP-16 拓扑结构: Buck 输出电压: 40 V 输出电流: 2.5 A 输出端数量: 1 Output 输入电压 - 最小值: 3.4 V 输入电压 - 最大值: 42 V 静态电流: 2.5 uA 开关频率: 2.2 kHz 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度
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0(供求芯片)星际金华、明佳达——长期供应及回收原装库存器件: 【供应/回收】原装IC——ADG1612BRUZ(SPST开关)、PGA2500IDB麦克风前置放大器、TPA3111D1PWPR(D级音频放大器)。 ADG1612BRUZ:四路单极/单掷(SPST)开关,TSSOP-16 1 Ω典型导通电阻 0.2 Ω导通电阻平坦度 ±3.3 V至±8 V双电源供电 3.3 V至16 V单电源供电 无需VL电源 3 V逻辑兼容输入 轨到轨工作 整个温度范围内的最大导通电阻:1.6 Ω 极低失真:THD + N = 0.007% 3V逻辑兼容数字输入:VINH = 2.0 V,VINL = 0.8 V 超低
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0INA2181A1IDGSR:26V、双通道电流感应放大器、VSSOP-10 共模范围 (VCM):–0.2V 至 +26V 高带宽:350kHz 失调电压: VCM = 0V 时为 ±150µV(最大值) VCM = 12V 时为 ±500µV(最大值) 输出压摆率:2V/µs 双向电流检测功能 精度: ±1% 增益误差(最大值) 1µV/°C 温漂(最大值) 增益选项:20V/V 静态电流:260µA(最大值) 【星际金华、明佳达】供应及回收:INA2181A1IDGSR电流感应放大器、IKW25N120H3(IGBT 晶体管)、ADV7182AWBCPZ视频解码器。 IKW25N120H3:1200V,50A,高速 TRENCHSTOP
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0LM73605QRNPRQ1:5A,3.5V 至 36V, 同步降压转换器,WQFN-30 功能:降压 输出类型:可调式 输出数:1 电压 - 输入(最小值):3.5V 电压 - 输入(最大值):36V 电压 - 输出(最小值/固定):1V 电压 - 输出(最大值):34.2V 电流 - 输出:5A 频率 - 开关:350kHz ~ 2.2MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~125°C(TJ) 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼 封装/外壳:30-WQFN(6x4) 【星际金华、明佳达】长期供应及回收原装库存芯片 【供求芯片】LM73605QRNPRQ1同步降压转换器
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0型号:STW40N95K5 封装:TO-247-3 类型:功率 MOSFET 晶体管 概述:STW40N95K5——950V,MDmesh™K5 N-通道功率 MOSFET 晶体管,TO-247-3 STW40N95K5——产品属性: 系列:MDmesh™ K5 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On):10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3300 pF @ 100 V 功率耗散(最大值):450W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通
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0晶丰明源电源芯片 S7132S S7133B/S S7134B S7141S S7142S S7302SL BP6513GR BP2519 BP2308 BP2371AS BP2373CR BP2525D/F BP2306HJ/HK/ BP2362JH BP2522B/D BP1808/A BP2535C BP8005 BP8009BPA8504D BPA8505D/P BPA8506D BPA8604D BPA8616D/P BPA8618P BP8523D BP8522D BP85221 BP85223D BP85224 BP85226 BP85256 BP85956 BP85958P BP5758D BP85928晶源微电源芯片CSC7158 CSC7222 CSC7156 CSC7136CCSC7136B CSC7136D CSC5113A CSC7151D CSC7720天微LCD驱动芯片TM1621B TM1622B TM1624苏州至盛马达驱动芯片ACM6753 ACM6754 ACM6252 ACM6763LED驱动芯片泉芯QX2303 QX2326 QX2305 QX7201 QX3400 QX34062 QX3501
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0型号:LMR33620ARNXR 封装:VQFN-12 类型:同步降压转换器 概述:LMR33620ARNXR——具有超低 EMI 的 SIMPLE SWITCHER® 3.8V 至 36V、2A 同步降压转换器, 关键特性: 输入电压范围:3.8V 至 36V 输出电压范围:1V 至 24V 输出电流:2A 峰值电流模式控制 最短导通时间很短,只有 68ns 频率:400kHz、1.4MHz、2.1MHz 结温范围为 –40°C 至 +125°C 低 EMI 和低开关噪声 集成补偿网络 低 EMI 和开关噪声 HotRod™ 封装 并行输入电流路径 可在所有负载下进行高效电源转换 峰值效率 > 95% 低
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0ZCC3790:同步升降压控制器的全新选择, 替代LT3790 在电源管理领域,高效、可靠的电压调节器至关重要。ZCC3790,一款同步 4 开关升降压电压 / 电流调节器控制器,凭借卓越性能,成为 LT3790 的理想替代品。 一、产品概述 ZCC3790 能在输入电压高于、低于或等于输出电压时,精准调节输出电压、输出电流或输入电流。其恒定频率、电流模式架构,可使工作频率在 200kHz 至 700kHz 间调整或同步,无需在降压或升压操作中加入顶部 FET 刷新切换周期。它支持 60V
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0PAFSC5G35E37R9:功率放大器模块,适用于LTE和5G 型号:PAFSC5G35E37R9 封装:SMD 类型:功率放大器模块 概述:PAFSC5G35E37R9——用于LTE和5G的功率放大器模块。 PAFSC5G35E37R9——产品特征: 高效率(满载时>70%) 空载时输入功率低(230 VAC时<230 mW) 温度补偿、低电压降、恒流(CC)感应。 【星际金华】【明佳达】供应/回收 PAFSC5G35E37R9功率放大器模块——LB11600JV-TLM-E无刷电机预驱动器IC。 LB11600JV-TLM-E:用于汽车应用的无刷电机预驱动器IC,SSOP-30 型号:LB11600JV-T
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0UCC27523DR(8SOIC)是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,适用于驱动MOSFET和IGBT电源开关。在应用方面上,UCC27523DR非常适合用于需要高电流驱动和快速响应时间的场合,如同步整流器、高功率开关电路等。其高抗扰度和宽滞后特性使其在工业控制、电源管理等领域有广泛应用。明佳达电子LTC3300ILXE-1双向多节电池平衡器——UCC27523DR 5 A栅极驱动器 LTC3300ILXE-1是一款高效率的双向多节电池平衡器。LTC3300ILXE-1通过在相邻电池之间高效转移电荷,能够补偿电池
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0IGI60F1414A1L:600V,CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 晶体管,QFN-28 概述:IGI60F1414A1L 结合了一个半桥功率级,由两个 140 mΩ(典型值,RDS(on))和两个 10 mΩ(典型值,RDS(off))组成。RDS(on) / 600V 增强模式 CoolGaN™ HEMT 和专用栅极驱动器,采用 8x8 mm QFN-28 小型封装。 IGI60F1414A1L——产品属性: 系列:CoolGaN™ 输出配置:半桥(2) 应用:通用 接口:逻辑,PWM 负载类型:感性,阻性 导通电阻(典型值):140 毫欧 LS,140 毫欧 HS 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-Power
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0CAN收发器——HVDA541QDRQ1(SOIC-8)/ ADM3053BRWZ(SOIC-20) HVDA541QDRQ1:5V,汽车类 CAN 收发器,SOIC-8 类型:收发器 协议:CANbus 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:125 mV 数据速率:1Mbps 电压 - 供电:4.68V ~5.33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC 【星际金华】【明佳达】供应且回收 HVDA541QDRQ1(CAN 收发器)ADM3053BRWZ。 ADM3053BRWZ:信号和电源隔离式CAN收发器,集成隔离式DC-DC转换器 型号:ADM3053BRWZ 封装:SOIC-20 类型:隔离式CAN
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0ADRF5545ABCPZN——2.4GHz 至 4.2GHz,双通道射频前端IC,LFCSP-40 型号:ADRF5545ABCPZN 封装:LFCSP-40 类型:射频前端 描述: ADRF5545ABCPZN 是一款双通道集成式射频 (RF) 前端多芯片模块,专为工作频率为 2.4 GHz 至 4.2 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5545A 采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。 ADRF5545ABCPZN——产品属性: 射频类型:通用 频率:2.4GHz ~ 4.2GHz 特性:SPDT 封装/外壳:40-VFQFN 祼焊盘,CSP 供应商器件封装:40-LFCS
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0IXFX230N20T——200V,230A,N通道MOSFET晶体管,TO-247-3 型号:IXFX230N20T 封装:TO-247-3 类型:MOSFET晶体管 IXFX230N20T——产品属性: 系列:HiPerFET™, Trench FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):378 nC @ 10 V Vgs(最大值):±20V 不
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0S29GL01GS10FHI010——GL-S系列 1Gbit,NOR闪存存储器IC,FBGA-64 型号:S29GL01GS10FHI010 封装:FBGA-64 类型:NOR闪存存储器 S29GL01GS10FHI010——产品属性: 系列:GL-S 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:1Gb 存储器组织:64M x 16 存储器接口:并联 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:100 ns 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA 【星际金华,明佳达】供应及回收
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1*系统应用结构简单,减少BOM数量,降低成本 *PWM最大占空比被限制在50%,更好的实现磁芯复位 *应该在ATX电源、平板电视电源、笔记本电脑适配器、通信电源 13266561941
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0IR3550MTRPBF——60A,集成式 PowIRstage® 同步降压栅极驱动器 描述: IR3550MTRPBF 集成式 PowIRstage® 是一款同步降压栅极驱动器,与一个控制 MOSFET 和一个同步 MOSFET(带集成肖特基二极管)共同封装。它针对 PCB 布局、传热和驱动器/MOSFET 时序进行了内部优化。 IR3550MTRPBF——产品属性: 输出配置:半桥 应用:同步降压转换器,稳压器 接口:PWM 负载类型:电感 技术:功率 MOSFET 电流 - 输出/通道:60A 电流 - 峰值输出:90A 电压 - 供电:4.5V ~ 7V 电压 - 负载:4.5V ~
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00介绍: STEF05BWPUR电流和电力监控器、调节器,采用 VDFPN 3x3x1.0 10 PITCH 0.50 封装。 属性: 产品种类: 电流和电力监控器、调节器 产品: Current Monitors 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 湿度敏感性: Yes 产品类型: Current & Power Monitors & Regulators 工厂包装数量: 3000 子类别: PMIC - Power Management ICs 主要特性 过流保护:能够快速检测并切断过流,保护电路免受损坏 可编程电流限制:用户可以根据需要设置电流限制值 低导通电阻(RDS(on)):在正常工作时0A1250LLHLX 霍尔效应传感器 IC 是一款温度稳定、抗应力双极开关。该器件是 Allegro™ 双极开关系列中灵敏度最高的霍尔效应器件,适用于环形磁铁传感。 A1250LLHLX:霍尔效应闩锁/双极开关 功能:双极开关 技术:霍尔效应 测试条件:-40°C ~ 150°C 电压 - 供电:3V ~ 24V 电流 - 供电(最大值):4mA 电流 - 输出(最大值):60mA 输出类型:开路漏极 工作温度:-40°C ~ 150°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23W 星际金华,明佳达【供应】【回收】A1250LLHL000大家好!我是英集芯富和满微代理,无线充 车充 移动电源ic mos均有优势,欢迎各位老板前来咨询0UCC27201ADRMR:具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 型号:UCC27201ADRMR 封装:VSON-8 类型:半桥栅极驱动器 UCC27201ADRMR——产品特性: 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET HS 引脚具备负电压处理能力 (–18V) 最大启动电压 120V 最大 VDD 电压 20V 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管 22ns 传播延迟时间 3A 灌电流,3A 拉电流输出 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 7ns 1ns 延迟匹配 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能 额定温度范围000FM5324H FM5327 可替代5306和5407 pin对pin 绝对优势,需要降成本的老板看过来,ye-24500LMV822Q1MMX:汽车级、双通道、5.5V、5.6MHz、40mA 输出电流、RRO 运算放大器 在 2.5V、2.7V 和 5V 电压下具有额定性能 VOS 为 3.5mV(最大值) TCVOS 为 1uV/°C 2.7V 时的增益带宽积为 5MHz 2.7V 电源电压时的 ISupply为 220µA/放大器 压摆率为 1.4V/µs(最小值) CMRR 为 90dB PSRR 为 85dB 5V 电源电压时的 VCM 为 -0.3V 至 4.3V 轨至轨输出 (RRO) - 600Ω 负载时,以电源轨为基准的输出摆幅为 160mV - 10kΩ 负载时,以电源轨为基准的输出摆幅为 55mV 在容性负载下实现稳定性能 LMV822Q1MMX运算000XCZU2CG-1SBVA484E(XCZU2CG-1SBVA484I):Zynq® UltraScale+™ MPSoC CG,片上系统 (SoC) IC,103K+ 逻辑单元 型号:XCZU2CG-1SBVA484E(XCZU2CG-1SBVA484I) 封装:FCBGA-484 类型:Zynq® UltraScale+™ MPSoC CG——片上系统 (SoC) IC 星际金华,明佳达【供应】【收购】XCZU2CG-1SBVA484E(XCZU2CG-1SBVA484I)Zynq® UltraScale+™ MPSoC CG——片上系统 (SoC) IC。 XCZU2CG-1SBVA484E(XCZU2CG-1SBVA484I)- 产品属性: 系列:Zynq® UltraScale+™ MPSoC CG 架构:MCU,FPGA 核心处理器:带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A53 MPCore™,0

